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PUB4124

更新时间： 2024-02-11 21:33:46
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 212K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 50V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 10 Pin, SIP-10

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PUB4124 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SIP
包装说明：SIP-10针数：10
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：COMPLEX最小直流电流增益 (hFE)：1000
JESD-30 代码：R-PSIP-T10元件数量：4
端子数量：10封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

PUB4124 数据手册

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Power Transistor Arrays  
PUB4124 (PU4124), PUB4424 (PU4424)  
Silicon NPN triple diffusion planar type darlington  
For power amplification  
Unit: mm  
■ Features  
• Built-in zener diode (60 V) between collector and base  
• Small variation in withstand pressure  
25.3 0.2  
4.0 0.2  
• Large energy handling capability  
• High-speed switching  
• PUB4124 (PU4124): NPN 4 elements  
PUB4424 (PU4424): NPN 2 elements × 2  
0.8 0.25  
0.5 0.15  
0.5 0.15  
1.0 0.25  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
2.54 0.2  
9 × 2.54 = 22.86 0.25  
Parameter  
Symbol  
Ra
Unit  
V
1: Emitter  
2: Base  
3: Collector  
4: Base  
5: Collector  
6: Base  
7: Collector  
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
1.5 0.5  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
VCEO  
VEBO  
IC  
60  
V
1 3 4 5 6 7 8 9 10  
5
V
4
A
8: Base  
9: Collector  
10: Emitter  
SIP10-A1 Package  
Peak collector current  
Collector power dissipati
Ta 25°C  
CP  
15  
A
PC  
W
3.
Junction emperure  
Tj  
150  
°C  
°C  
Storage temprature  
−55 to +150  
■ ElectriCharacteristics TC C 3°C  
arameter  
Symbol  
VCEO  
ICBO  
Conditions  
Min  
Tp  
Max  
70  
Unit  
V
Colctor-emitter voltge (Base oen)  
ollector-base cutoff curnEmitteopen)  
Emitter-off curnt (Cllector open)  
Foansferatio  
IC = 5 mA, IB = 0  
50  
VCB = 50 V, IE = 0  
VEB = 5 V, IC = 0  
100  
2
µA  
mA  
IEBO  
hFE1  
VCE = 3 V, IC = 0.5 A  
VCE = 3 V, IC = 3 A  
1000  
1000  
1
*
hFE2  
10000  
2.0  
Collectosaturation voltage  
VCE(sat) IC = 3 A, IB = 12 mA  
IC = 5 A, IB = 20 mA  
V
4.0  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
Turn-on time  
VBE(sat) IC = 3 A, IB = 12 mA  
2.5  
V
MHz  
µs  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = 10 V, IC = 0.5 A, f = 1 MHz  
20  
0.3  
3.0  
1.0  
IC = 3 A  
Storage time  
IB1 = 12 mA, IB2 = −12 mA  
VCC = 50 V  
µs  
Fall time  
µs  
2
Energy handling capability *  
E
IC = 1 A, L = 100 mH, RBE = 100 Ω  
50  
mJ  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Rank classification  
*
2: Es/b test circuit  
*
X
Mercury relay  
Rank  
Free  
P
Q
L
hFE  
1000 to 10000 2000 to 10 000 1000 to 5000  
Y
Z
RBE  
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.  
Publication date: March 2004  
SJK00067AED  
1
123

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