Datasheet > PUA3117(PU3117)

PUA3117(PU3117)

更新时间： 2024-10-13 23:29:43

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		/
页数	文件大小	规格书
3页	184K
描述
複合デバイス－パワートランジスタアレイ

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PUA3117(PU3117) 数据手册

パワートランジスタアレイ

PUA3117 (PU3117)

シリコンNPN三重拡散プレーナ形

電力増幅用/スイッチング用

Unit : mm

20.2 0.3

4.0 0.2

■ 特ꢀ長

•

直

流電流増幅率h_FEが高い

直

流電流増幅率h_FEの直線性がよい

0.8 0.25

NPN 3素子

0.5 0.15

1.0 ^0.25

2.54 0.2

■ 絶対最大定格 T_C= 25°C

0.5 0.15

項目

記号

定格

単位

7 × 2.57 = 17.78 0.25

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) V_CBO

コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時) V_CEO

エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) V_EBO

C 1.5 0.5

1 : Emitter

2 : Base

3 : Collector

4 : Base

2 3 4 5 6 7 8

コレクタ電流

尖頭コレクタ電流

ベース電流

I_C

I_CP

I_B

5 : Collector

6 : Base

7 : Collector

8 : Emitter

SIP8-A1 Package

コレクタ損失

P_C

2.4

T_a= 25°C

接

合温度

T_j

150

°C

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

■ 電気的特性 T_C= 25°C 3°C

項目

記号

条件

最小標準最大

単位

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時)

V_CEO

I_C= 25 mA, I_B= 0

V_CB= 80 V, I_E= 0

V_CE= 40 V, I_B= 0

V_EB= 6 V, I_C= 0

V_CE= 4 V, I_C= 0.5 A

コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) I_CBO

コレクタ・エミッタ間遮断電流(B開放時) I_CEO

エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時) I_EBO

100

µA

直流電流増幅率

h_FE

500

2500



コレクタ・エミッタ間飽和電圧

トランジション周波数

V_CE(sat)I_C= 2 A, I_B= 0.05 A

f_TV_CE= 12 V, I_C= 0.2 A, f = 10 MHz

1.0

MHz

注) 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

■ 内部接続図

注) 形名の( )内は, 従来品

番です

発行年月 : 2003年4月

SJK00007BJD

12 3

中文翻译

下载PDF

与PUA3117(PU3117)相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PUA3117\|PU3117	ETC	获取价格	Composite Device - Power Transistor Arrays
PUA3118(PU3118)	ETC	获取价格	複合デバイス－パワートランジスタアレイ
PUA3119	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 3-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8
PUA3119(PU3119)	ETC	获取价格	複合デバイス－パワートランジスタアレイ
PUA3119Q	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 3-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8
PUA3120	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 3-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8
PUA3120(PU3120)	ETC	获取价格	複合デバイス－パワートランジスタアレイ
PUA3120P	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 3-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8
PUA3120Q	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 3-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8
PUA3121	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 3-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8