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PU3123Q PDF预览

PU3123Q

更新时间： 2024-11-15 20:22:47
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 86K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 3-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, SIP-8

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PU3123Q 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SIP
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：COMPLEX最小直流电流增益 (hFE)：1000
JESD-30 代码：R-PSIP-T8元件数量：3
端子数量：8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

PU3123Q 数据手册

 浏览型号PU3123Q的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PU3123Q的Datasheet PDF文件第3页 
Power Transistor Arrays  
PUA3123 (PU3123)  
Silicon NPN triple diffusion planar type darlington  
For power amplification  
Unit: mm  
20.2 0.3  
4.0 0.2  
■ Features  
• Built-in zener diode (60 V) between collector and base  
• Small variation in withstand pressure  
• Large energy handling capability  
• High-speed switching  
0.8 0.25  
0.5 0.15  
• NPN 3 elements  
0.5 0.15  
1.0 0.25  
2.54 0.2  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
7 × 2.57 = 17.78 0.25  
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
60 10  
C 1.5 0.5  
1: Emitter  
2: Base  
3: Collector  
4: Base  
5: Collector  
6: Base  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
VCEO  
VEBO  
IC  
60 10  
V
1
2 3 4 5 6 7 8  
5
V
2
A
7: Collector  
8: Emitter  
SIP8-A1 Package  
Peak collector current  
Collector power dissipation  
Ta = 25°C  
ICP  
4
15  
A
PC  
W
2.4  
Junction temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Storage temperature  
Tstg  
−55 to +150  
■ Electrical Characteristics TC = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCEO  
ICBO  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
70  
Unit  
V
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
IC = 5 mA, IB = 0  
50  
VCB = 50 V, IE = 0  
VEB = 5 V, IC = 0  
VCE = 4 V, IC = 1 A  
VCE = 4 V, IC = 2 A  
100  
2
µA  
mA  
IEBO  
hFE1  
1000  
1000  
1
*
hFE2  
10000  
2.5  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
Turn-on time  
VCE(sat) IC = 2 A, IB = 8 mA  
VBE(sat) IC = 2 A, IB = 8 mA  
V
V
2.5  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = 10 V, IC = 0.5 A, f = 1 MHz  
20  
0.4  
3.0  
1.0  
MHz  
µs  
IC = 2 A  
Storage time  
IB1 = 8 mA, IB2 = −8 mA  
VCC = 50 V  
µs  
Fall time  
µs  
2
Energy handling capability *  
Es/b  
IC = 0.71 A, L = 100 mH, RBE = 100 Ω  
25  
mJ  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Rank classification  
*
2: Es/b test circuit  
*
Mercury relay  
X
Rank  
Free  
P
Q
L
hFE  
1000 to 10000 2000 to 10 000 1000 to 5000  
Y
Z
RBE  
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.  
Publication date: March 2004  
SJK00013AED  
1
123

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与PU3123Q相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PU3124 PANASONIC

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 		SILICON NPN TRIPLE-DIFFUSED PLANAR DARLINGTON TYPE, POWER AMPLIFIER, SWITCHING
PU3124P ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | ARRAY | DARLINGTON | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | SIP
PU3124Q ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | ARRAY | DARLINGTON | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | SIP
PU3127 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | ARRAY | COMM EMITTER | 35V V(BR)CEO | 3A I(C) | SIP
PU3131 PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 3-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8
PU3134 PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 50V V(BR)CEO, 3-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8
PU3135 PANASONIC

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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 3-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8
PU3136 PANASONIC

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 3-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8
PU3141 PANASONIC

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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 85V V(BR)CEO, 3-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8
PU3144 PANASONIC

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 85V V(BR)CEO, 3-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8

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