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PU3173

更新时间： 2024-11-15 19:01:55

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	70K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 3-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, SIP-8

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PU3173 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIP
包装说明：	SIP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	COMPLEX	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JESD-30 代码：	R-PSIP-T8	元件数量：	3
端子数量：	8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

PU3173 数据手册

Power Transistor Arrays

PUA3173 (PU3173)

Silicon NPN triple diffusion planar type darlington

For power amplification

Unit: mm

Complementary to PUA3273 (PU3273)

20.2 0.3

4.0 0.2

■ Features

• High forward current transfer ratio h_FE

• High-speed switching

• NPN 3 elements

0.8 0.25

0.5 0.15

1.0 ^0.25

2.54 0.2

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

7 × 2.57 = 17.78 0.25

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

C 1.5 0.5

1: Emitter

2: Base

3: Collector

4: Base

5: Collector

6: Base

150

100

2 3 4 5 6 7 8

7: Collector

8: Emitter

Peak collector current

I_CP

SIP8-A1 Package

Collector power dissipation

T_a= 25°C

P_C

2.4

Junction temperature

T_j

150

°C

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_C= 10 mA, I_B= 0

100

V_CB= 150 V, I_E= 0

V_CE= 80 V, I_B= 0

V_EB= 5 V, I_C= 0

V_CE= 4 V, I_C= 2 A

V_CE= 4 V, I_C= 4 A

100

µA



I_CEO

I_EBO

h_FE1

1000

500

10000

h_FE2

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_CE(sat)I_C= 4 A, I_B= 16 mA

V_BE(sat)I_C= 4 A, I_B= 16 mA

2.5

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 10 V, I_C= 0.5 A, f = 1 MHz

MHz

µs

I_C= 4 A

0.27

2.9

Storage time

I_B1= 16 mA, I_B2= −16 mA

V_CC= 50 V

µs

Fall time

1.0

µs

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

Free

h_FE

1000 to 10000 2000 to 10 000 1000 to 5000

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: March 2004

SJK00019AED

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PU3173P	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 3-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
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PU3210	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| COMM EMITTER \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SIP
PU3211	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 3-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8
PU3212	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| COMM EMITTER \| 80V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SIP
PU3213	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| COMM EMITTER \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| SIP
PU3214	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| COMM EMITTER \| 20V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| SIP
PU3215	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| COMM EMITTER \| 20V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| SIP
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