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PTF141501A PDF预览

PTF141501A

更新时间： 2024-01-29 05:57:08
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 252K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 20260, 2 PIN

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PTF141501A 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：335 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PTF141501A 数据手册

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PTF141501A  
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor  
150 W, 1450 – 1500 MHz, 1600 – 1700 MHz  
Description  
The PTF141501A is a150-watt, GOLDMOS FET intended for DAB appli-  
cations. The device is characterized for Digital Audio Broadcast operation  
PTF141501A  
Package 20260  
in the 1450 to 1500 MHz band. Full gold metallization ensures excellent  
device lifetime and reliability.  
Features  
•
•
Broadband internal matching  
DAB Drive-Up at 28 Volts  
Typical DAB Mode 2 performance at 1500  
MHz, 32 V  
- Average output power = 50 W  
- Efficiency = 29%  
VDD = 28 V, f = 1500 MHz, IDQ = 1.5 A, DAB mode 2  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
-20  
-25  
-30  
-35  
-40  
-45  
-50  
-55  
- Spectral regrowth = –30 dBc  
Efficiency  
Regrowth  
- ∆ 975 kHz f  
C
•
Typical DAB Mode 2 performance at 1500  
MHz, 28 V  
- Average output power = 40 W  
- Efficiency = 26%  
- Spectral regrowth = –30 dBc  
- ∆ 975 kHz f  
C
•
•
Typical CW performance, 1500 MHz, 28 V  
- Minimum output power = 150 W  
- Linear gain = 16.5 dB  
0
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
- Efficiency = 48% at P–1dB  
Average Output Power (W)  
Integrated ESD protection: Human Body  
Model, Class 1 (minimum)  
•
•
Excellent thermal stability, low HCI drift  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling  
precautions!  
Capable of handling 10:1 VSWR at 28 V, 150  
W (CW) output power  
RF Characteristics  
DAB Measurements (not subject to production test—verified by design/characterization in Infineon test fixture)  
V
DD  
= 32 V, I  
= 1.5 A, P  
= 50 W  
, f = 1500 MHz, DAB Mode 2, f ∆ 975 kHz  
DQ  
OUT  
AVG  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
—
Typ  
–30  
16.5  
29  
Max  
—
Units  
dBc  
dB  
Spectral Regrowth  
Gain  
RGTH  
G
ps  
—
—
Drain Efficiency  
η
D
—
—
%
Data Sheet  
Page 1 of 12  
2004-12-13  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PTF141501E INFINEON

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 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 1450-1500 MHz, 1600-1700 MHz
PTF141501E-150W INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor
PTF141501F INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTF-142-03-L-D SAMTEC

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