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PPC5001T

更新时间： 2024-11-28 22:26:23

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管微波
页数	文件大小	规格书
8页	60K
描述
NPN microwave power transistor

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PPC5001T 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	MICROWAVE, R-CDMW-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.84	其他特性：	DIFFUSED EMITTER BALLAST RESISTOR
外壳连接：	BASE	最大集电极电流 (IC)：	0.25 A
集电极-发射极最大电压：	16 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最高频带：	C BAND	JESD-30 代码：	R-CDMW-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROWAVE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

PPC5001T

NPN microwave power transistor

1997 Mar 03

Product speciﬁcation

Supersedes data of November 1994

File under Discrete Semiconductors, SC15

12 3 4 5 6 7 8

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