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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> PN4391TRE
PN4391TRE PDF预览

PN4391TRE

更新时间： 2024-11-04 13:12:27
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
2页 323K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92,

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PN4391TRE 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.04Is Samacsys：N
配置：SINGLE最大漏源导通电阻：30 Ω
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：3.5 pF
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PN4391TRE 数据手册

 浏览型号PN4391TRE的Datasheet PDF文件第2页 
PN4391  
PN4392  
PN4393  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
N-CHANNEL  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR PN4391 series  
types are N-Channel silicon JFETs designed for analog  
switching and chopper applications.  
SILICON JFET  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-92 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Gate-Drain Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
40  
40  
GD  
GS  
Gate-Source Voltage  
V
V
Gate Current  
I
50  
mA  
mW  
°C  
G
Power Dissipation  
P
625  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
-65 to +150  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
PN4391  
PN4392  
MIN MAX  
PN4393  
MIN MAX  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN MAX  
UNITS  
nA  
I
I
I
I
I
I
I
I
I
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=20V  
-
0.1  
0.2  
150  
0.1  
-
-
0.1  
0.2  
75  
-
-
0.1  
0.2  
30  
-
GSS  
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
=20V, T =100°C  
-
-
-
μA  
mA  
nA  
nA  
nA  
μA  
μA  
μA  
V
GSS  
A
=20V  
50  
25  
5.0  
DSS  
=20V, V =12V  
-
-
-
D(OFF)  
D(OFF)  
D(OFF)  
D(OFF)  
D(OFF)  
D(OFF)  
GS  
=20V, V =7.0V  
GS  
=20V, V =5.0V  
-
-
0.1  
-
-
-
-
-
-
-
0.1  
-
GS  
=20V, V =12V, T =100°C  
GS  
=20V, V =7.0V, T =100°C  
-
0.2  
-
-
-
-
A
-
-
0.2  
-
-
-
GS  
A
=20V, V =5.0V, T =100°C  
-
-
-
-
0.2  
-
GS  
A
BV  
I =1.0μA  
40  
-
40  
40  
GSS  
GS(OFF)  
GS(f)  
G
V
V
V
V
V
V
=20V, I =1.0nA  
4.0  
10  
1.0  
0.4  
-
2.0  
5.0  
1.0  
-
0.5  
3.0  
1.0  
-
V
DS  
DS  
D
V
=0, I =1.0mA  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
G
I =12mA  
V
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
ds(on)  
D
I =6.0mA  
0.4  
-
-
V
D
I =3.0mA  
-
0.4  
100  
100  
-
V
D
r
r
I =1.0mA, V =0  
30  
30  
3.5  
-
60  
60  
-
D
GS  
V
=0, I =0, f=1.0kHz  
GS  
GS  
GS  
GS  
DS  
D
C
C
C
C
V
V
V
V
=12V, V =0, f=1.0MHz  
pF  
pF  
pF  
pF  
rss  
rss  
rss  
iss  
DS  
=7.0V, V =0, f=1.0MHz  
DS  
=5.0V, V =0, f=1.0MHz  
3.5  
-
-
-
3.5  
14  
DS  
=20V, V =0, f=1.0MHz  
GS  
14  
14  
R1 (30-January 2012)  
12

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与PN4391TRE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PN4391TRELEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92,
PN4392 Linear Systems

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