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PN2907A_08

更新时间： 2024-01-15 11:20:19

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美微科 - MCC		放大器
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PNP General Purpose Amplifier

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PN2907A_08 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

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PN2907A

Micro Commercial Components

Features

•

Through Hole Package

Capable of 600mWatts of Power Dissipation and 600mA Ic

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Marking:MPS2907A

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

PNP General

Purpose Amplifier

•

Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1

TO-92

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_BL

Collector-Emitter Breakdown Voltage*

(I_C=10mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=10µAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=10µAdc, I_C=0)

Base Cutoff Current

Vdc

5.0

Vdc

nAdc

(V_CE=30Vdc, V_BE=0.5Vdc)

Collector Cutoff Current

(V_CE=30Vdc, V_BE=0.5Vdc)

Collector Cutoff Current

(V_CB=50Vdc, I_E=0)

I_CEX

I_CBO

0.1

10.0

µAdc

(V_CB=50Vdc, I_E=0, T_A=150°C)

ON CHARACTERISTICS

h_FE

DC Current Gain*

(I_C=0.1mAdc, V_CE=10Vdc)

(I_C=1.0mAdc, V_CE=10Vdc)

(I_C=10mAdc, V_CE=10Vdc)

100

300

(I_C=150mAdc, V_CE=10Vdc)

(I_C=500mAdc, V_CE=10Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=150mAdc, I_B=15mAdc)

(I_C=500mAdc, I_B=50mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=150mAdc, I_B=15mAdc)

(I_C=500mAdc, I_B=50mAdc)

V_CE(sat)

0.4

1.6

Vdc

V_BE(sat)

1.3

2.6

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

f_T

Current Gain-Bandwidth Product

(I_C=50mAdc, V_CE=20Vdc, f=100MHz)

Output Capacitance

(V_CB=10Vdc, I_E=0, f=100kHz)

Input Capacitance

DIMENSIONS

200

MHz

C_cbo

C_ibo

INCHES

MIN

.170

.550

.010

.130

.010

DIM

MAX

MIN

4.33

4.30

13.97

0.36

3.30

2.44

MAX

4.83

NOTE

8.0

.190

.590

.020

.160

.104

(V_EB=2.0Vdc, I_C=0, f=100kHz)

30.0

14.97

0.56

3.96

2.64

SWITCHING CHARACTERISTICS

t_d

t_r

t_s

t_f

Delay Time

Rise Time

Storage Time

Fall Time

(V_CC=3.0Vdc, I_C=150mAdc,

I_B1=15mAdc)

(V_CC=3.0Vdc, I_C=150mAdc

I_B1=I_B2=15mAdc)

*Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle≤ 2.0%

www.mccsemi.com

1 of 4

Revision: 5

2008/02/01

12 3 4

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PN2907A-18R	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92-18R,
PN2907A-5	TI	获取价格	60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
PN2907A-5T1	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92-5T1,
PN2907A-AB3-R	UTC	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
PN2907A-AMMO	NXP	获取价格	TRANSISTOR 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal
PN2907AAMO	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-92

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