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PN2907A-AMMO

更新时间: 2024-02-22 15:54:32
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 74K
描述
TRANSISTOR 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Small Signal

PN2907A-AMMO 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.05
最大集电极电流 (IC):0.6 A基于收集器的最大容量:8 pF
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHz最大关闭时间(toff):100 ns
最大开启时间(吨):45 nsVCEsat-Max:1.6 V
Base Number Matches:1

PN2907A-AMMO 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
PN2907A  
PNP switching transistor  
1997 May 05  
Product specification  
Supersedes data of September 1994  
File under Discrete Semiconductors, SC04  

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