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PN108CLS

更新时间： 2024-11-19 20:27:23

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松下 - PANASONIC		光电
页数	文件大小	规格书
3页	199K
描述
Photo Transistor, 900nm, 0.02A I(C), MTRLR103-002, 3 PIN

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PN108CLS 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	MTRLR103-002, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.40.70.80
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	20 V	配置：	SINGLE
最大暗电源：	2000 nA	红外线范围：	YES
标称光电流：	7.5 mA	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：	1	最大通态电流：	0.02 A
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
光电设备类型：	PHOTO TRANSISTOR	峰值波长：	900 nm
最大功率耗散：	0.1 W	形状：	ROUND
尺寸：	4.2 mm	子类别：	Photo Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

PN108CLS 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Phototransistors

PNZ108CL (PN108CL)

Silicon planar type

Unit: mm

For optical control systems

■ Features

• High sensitivity: I_CE(L)= 3.5 mA (min.)

• Wide directivity characteristics for easy use

• Fast response: t_r= 5 µs (typ.)

• Signal mixing capability using base pin

• Small size (low in height) package

3-φ0.45 0.05

2.54 0.25

1.0

0.2

0.15

1.0

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Emitter-collector voltage (Base open) V_ECO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

1: Emitter

2: Base

3: Collector

Collector current

I_C

°C

Collector power dissipation ^*

Operating ambient temperature

Storage temperature

P_C

100

T_opr

T_stg

−25 to +85

−30 to +100

■ Electrical-Optical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

I_CE(L)

I_CEO

λ_p

Conditions

V_CE= 10 V, L = 500 lx

V_CE= 10 V

Min

Typ

Max

Unit

µA

Photocurrent ^*

3.5

Dark current

0.05

900

2.00

Peak emission wavelength

Half-power angle

V_CE= 10 V

The angle from which photocurrent

becomes 50%

Rise time ^*

t_r

t_f

V_CC= 10 V, I_CE(L)= 5 mA, R_L= 100 Ω

µs

Fall time ^*

Collector-emitter saturation voltage ^*

V_CE(sat)I_CE(L)= 1 mA, L = 1000 lx

0.3

0.6

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. Spectral sensitivity characteristics: Sensitivity for wave length over 400 nm maximum sensitivity ratio is 100%.

3. This device is designed be disregarded radiation.

4. 1: Source: Tungsten (color temperature 2856 K)

2: Rank classification

Rank

No-rank

I_CE(L)(mA)

3.5 to 6.0

5.0 to 9.1

>7.5

>3.5

3: Switching time measurement circuit

Sig. in

V_CC

t_r: Rise time

t_f: Fall time

(Input pulse)

90%

10%

Sig. out

(Output pulse)

50 Ω

R_L

t_r

t_f

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: August 2007

SHE00009CED

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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PN10-8FF-L	PANDUIT	获取价格	12-10 BARREL NYLON INSUL FLANGED FORK 225 5.72 MAX WIRE INSUL DIA
PN10-8R	PANDUIT	获取价格	3PC. NYLON INSULATED. 12-10 BARREL, RINGS
PN1090	ETC	获取价格	Interface IC
PN109CL	PANASONIC	获取价格	Photo Transistor, 900nm, 0.02A I(C), ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
PN109F	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN Phototransistor
PN109L	PANASONIC	获取价格	Photo Transistor, 900nm, 0.03A I(C), MTGLR103-001, 3 PIN
PN11	CK-COMPONENTS	获取价格	Alternate & Momentary Action Pushbutton Switches
PN110	ETC	获取价格	PHOTOTRANSISTOR \| NPN \| 800NM PEAK WAVELENGTH \| 20M \| DOME-4.4
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