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PN115

更新时间： 2024-11-18 22:26:27
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松下 - PANASONIC 晶体光电晶体管光电晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 54K
描述
Silicon NPN Phototransistor

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PN115 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：LSTLR103-001, 3 PIN
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.40.70.80
风险等级：5.84其他特性：SIDE VIEW, HIGH SENSITIVITY
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：20 V配置：SINGLE
最大暗电源：2000 nA红外线范围：YES
标称光电流：4.5 mA安装特点：THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：1最大通态电流：0.01 A
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
光电设备类型：PHOTO TRANSISTOR峰值波长：900 nm
最大功率耗散：0.1 W最长响应时间：0.000005 s
形状：ROUND尺寸：3.5 mm
子类别：Photo Transistors表面贴装：NO

PN115 数据手册

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Phototransistors  
PNZ115 (PN115)  
Silicon NPN Phototransistor  
Unit : mm  
4.5±0.3  
4.2±0.3  
For optical control systems  
ø3.5±0.2  
2.3 1.9  
Features  
High sensitivity  
Wide directional sensitivity, matched to GaAs LEDs : θ = 35 deg.  
(typ.)  
3-0.45±0.2  
0.45±0.2  
Fast response : tr = 5 µs (typ.)  
Side-view type package  
1
1.27  
2 3  
1.27  
1.2  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)  
Parameter  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VECO  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
1: Emitter  
2: Collector  
3: Base  
Collector to emitter voltage  
Collector to base voltage  
Emitter to collector voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
20  
30  
V
5
V
5
10  
V
mA  
mW  
˚C  
˚C  
Collector power dissipation  
Operating ambient temperature  
Storage temperature  
PC  
100  
Topr  
–25 to +85  
–30 to +100  
Tstg  
Photo-  
detectors  
Electro-Optical Characteristics (Ta = 25˚C)  
Parameter  
Dark current  
Symbol  
ICEO  
ICE(L)  
λP  
Conditions  
min  
typ  
0.02  
4.5  
900  
35  
max  
Unit  
µA  
mA  
nm  
deg.  
µs  
VCE = 10V  
2
Collector photo current  
Peak sensitivity wavelength  
Acceptance half angle  
Rise time  
VCE = 10V, L = 100 lx*1  
2.0  
VCE = 10V  
θ
tr*2  
tf*2  
Measured from the optical axis to the half power point  
VCC = 10V, ICE(L) = 5mA  
RL = 100Ω  
5
Fall time  
6
µs  
Collector saturation voltage VCE(sat) ICE(L) = 1mA, L = 1000 lx*1  
0.3  
0.6  
V
*1 Measurements were made using a tungsten lamp (color temperature T = 2856K) as a light source.  
*2 Switching time measurement circuit  
Sig.IN  
VCC  
td : Delay time  
(Input pulse)  
tr : Rise time (Time required for the collector photo current to  
increase from 10% to 90% of its final value)  
90%  
10%  
Sig.OUT  
(Output pulse)  
td  
tf : Fall time (Time required for the collector photo current to  
decrease from 90% to 10% of its initial value)  
50Ω  
RL  
tr  
tf  
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.  
1
123

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