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PN116

更新时间： 2024-11-18 21:54:55

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Silicon planar type

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PN116 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	LSTFR103-001, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.40.70.80
风险等级：	5.84	其他特性：	SIDE VIEW
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	20 V	配置：	SINGLE
最大暗电源：	2000 nA	红外线范围：	YES
标称光电流：	0.8 mA	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：	1	最大通态电流：	0.01 A
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
光电设备类型：	PHOTO TRANSISTOR	峰值波长：	900 nm
形状：	RECTANGULAR	尺寸：	3.5 mm
子类别：	Photo Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

PN116 数据手册

Phototransistors

PNA1605F (PN116)

Silicon planar type

Unit: mm

4.5±±.ꢀ5

3.5±±.ꢀ5

2.ꢀ±±.ꢀ5

For optical control systems

ꢀ.6±±.ꢀ5

±.8±±.ꢀ

■ Features

• High sensitivity

• Wide directivity characteristics, suited for detecting GaAs LEDs:

θ = 70° (typ.)

• Fast response: t_r, t_f= 8 µs (typ.)

• Side-view type package

3-±.45±±.2

±.45±±.2

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

ꢀ.27

Parameter

Symbol

Rating

Unit

1: Emitter

2: Collector

3: Base

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Emitter-collector voltage (Base open) V_ECO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

ꢀ

LSTFR103-001 Package

Collector current

I_C

°C

Collector power dissipation

Operating ambient temperature

Storage temperature

P_C

100

T_opr

T_stg

−25 to +85

−30 to +100

■ Electrical-Optical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

I_CE(L)

I_CEO

λ_p

Conditions

V_CE= 10 V, L = 100 lx

V_CE= 10 V

Min

Typ

0.8

Max

Unit

µA

Photocurrent ^*

0.2

Dark current

0.05

900

2.00

Peak emission wavelength

Half-power angle

V_CE= 10 V

The angle from which photocurrent

becomes 50%

Rise time ^*

t_r

t_f

V_CC= 10 V, I_CE(L)= 1 mA, R_L= 100 Ω

µs

Fall time ^*

Collector-emitter saturation voltage ^*

V_CE(sat)I_CE(L)= 1 mA, L = 1000 lx

0.3

0.6

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Source: Tungsten (color temperature 2856 K)

2: Switching time measurement circuit

Sig. in

V_CC

t_d: Delay time

t_r: Rise time

(Input pulse)

90%

10%

t_f: Fall time

Sig. out

(Output pulse)

t_d

50 Ω

R_L

t_r

t_f

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: April 2004

SHE00003BED

12 3

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