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PMEG6030EP,115

更新时间: 2024-02-27 12:30:04
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
13页 146K
描述
PMEG6030EP - 3 A low V_F MEGA Schottky barrier rectifier SOD 2-Pin

PMEG6030EP,115 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOD针数:2
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:7.95
Base Number Matches:1

PMEG6030EP,115 数据手册

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PMEG6030EP  
NXP Semiconductors  
3 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier  
2. Pinning information  
Table 2.  
Pinning  
Pin  
1
Description  
cathode  
Simplified outline  
Graphic symbol  
[1]  
1
2
2
anode  
1
2
sym001  
[1] The marking bar indicates the cathode.  
3. Ordering information  
Table 3.  
Ordering information  
Type number  
Package  
Name  
-
Description  
Version  
PMEG6030EP  
plastic surface-mounted package; 2 leads  
SOD128  
4. Marking  
Table 4.  
Marking codes  
Type number  
Marking code  
PMEG6030EP  
AB  
5. Limiting values  
Table 5.  
Limiting values  
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).  
Symbol  
VR  
Parameter  
Conditions  
Min  
Max  
Unit  
reverse voltage  
average forward current  
Tj = 25 °C  
-
60  
V
IF(AV)  
square wave;  
δ = 0.5;  
f = 20 kHz  
[1]  
[2]  
Tamb 50 °C  
Tsp 135 °C  
-
-
-
3
A
A
A
3
IFSM  
Ptot  
non-repetitive peak  
forward current  
square wave;  
tp = 8 ms  
50  
[3][4]  
[3][5]  
[3][1]  
total power dissipation  
Tamb 25 °C  
-
-
-
625  
mW  
mW  
mW  
1050  
2100  
PMEG6030EP_1  
© NXP B.V. 2010. All rights reserved.  
Product data sheet  
Rev. 01 — 21 January 2010  
2 of 13  
 
 
 
 
 

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