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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-204AA |
| 包装说明： | TO-3, 2 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.19 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 12 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 800 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN (315) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMD10K40 | CENTRAL |
获取价格 |
Power Transistors |
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| PMD10K40LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| PMD10K60 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor |
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| PMD10K60 | CENTRAL |
获取价格 |
Power Transistors |
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| PMD10K60 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 60V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve |
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| PMD10K60LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| PMD10K60TIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
| PMD10K80 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Darlingtion Power Transistor |
|
| PMD10K80 | CENTRAL |
获取价格 |
SILICON POWER DARLING TRANSISTORSl |
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| PMD10K80 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 80V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve |
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