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PMBZ5232B/T3

更新时间: 2023-01-02 14:10:28
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 63K
描述
DIODE 5.6 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB, Voltage Regulator Diode

PMBZ5232B/T3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.31
其他特性:TEMPERATURE COEFFICIENT IS TYPICAL配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:5.6 V
最大反向电流:5 µA表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL电压温度Coeff-Max:1.288 mV/ °C
最大电压容差:5%工作测试电流:20 mA

PMBZ5232B/T3 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PMBZ5226B to PMBZ5257B  
Voltage regulator diodes  
Product specification  
2004 Jan 20  
Supersedes data of 2001 Feb 09  

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