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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.33 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 膝阻抗最大值： | 1000 Ω | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 6.2 V |
| 最大反向电流： | 5 µA | 表面贴装： | YES |
| 技术： | ZENER | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 电压温度Coeff-Max： | 2.79 mV/ °C |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 20 mA |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBZ5235B | NXP |
获取价格 |
Voltage regulator diodes |
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| PMBZ5235B212 | NXP |
获取价格 |
DIODE 6.8 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Di |
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| PMBZ5235B235 | NXP |
获取价格 |
DIODE 6.8 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Di |
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| PMBZ5235B-T | NXP |
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DIODE 6.8 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB, Voltage Re |
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| PMBZ5235BT/R | NXP |
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DIODE 6.8 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB, PLASTIC, S |
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| PMBZ5235BTRL | YAGEO |
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Zener Diode, 6.8V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional |
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| PMBZ5235BTRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Zener Diode, 6.8V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional |
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| PMBZ5236B | NXP |
获取价格 |
Voltage regulator diodes |
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| PMBZ5236B212 | NXP |
获取价格 |
DIODE 7.5 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Di |
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| PMBZ5236B-T | NXP |
获取价格 |
DIODE 7.5 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB, Voltage Re |
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