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PK200GB80

更新时间： 2024-11-23 22:26:31
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描述
THYRISTOR MODULE

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PK200GB80 数据手册

 浏览型号PK200GB80的Datasheet PDF文件第2页 
THYRISTOR MODULE  
(
)
PD,PE  
PK 200GB  
UL;E76102（M）  
Power Thyristor/Diode Module PK200GB series are designed for various rectifier  
circuits and power controls. For your circuit application. following internal connections  
and wide voltage ratings up to 800V are available.  
92  
26  
12  
26  
7
4-φ6（M5）�  
Isolated mounting base  
●
T（AV）  
T（RMS） TSM  
200A, I 310A, I  
I
5500A  
● di/dt 200 A/μs  
● dv/dt 500V/μs  
18  
2
R8.0  
（Applications）  
Various rectifiers  
AC/DC motor drives  
Heater controls  
Light dimmers  
M8×14  
Internal Configurations  
♯110TAB  
（2.8.0.5T）�  
K2  
G2  
K2  
K2  
G2  
3
2
1
3
2
1
3
2
1
K1G1  
（A2）�  
（K2）�  
K1G1  
A1K2  
K1  
（K2）�  
（A2）�  
（K2）�  
（A2）�  
A1K2  
A1K2  
Static switches  
80±0.3  
PK  
PD  
PE  
Unit：A  
■Maximum Ratings  
Ratings  
Symbol  
Item  
Unit  
PK200GB40 PD200GB40  
PE200GB40  
PK200GB80 PD200GB80  
PE200GB80  
VRRM  
VRSM  
VDRM  
400  
480  
400  
800  
960  
800  
V
V
V
＊
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
Repetitive Peak Off-State Voltage  
＊
Symbol  
Item  
Conditions  
Ratings  
Unit  
A
T（AV）  
I
200  
＊Average On-State Current  
＊R.M.S. On-State Current  
＊Surge On-State Current  
Single phase, half wave, 180°conduction, Tc：74℃  
T（RMS）  
I
310  
A
Single phase, half wave, 180°conduction, Tc：74℃  
1
TSM  
I
A
／cycle, 50Hz/60Hz, peak Value, non-reqetitive  
5000/5500  
2
2
2
2
I t  
Value for one cycle of surge current  
125000  
A S  
＊I t  
GM  
P
Peak Gate Power Dissipation  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current  
10  
W
W
G（AV）  
P
3
FGM  
I
3
10  
A
FGM  
V
V
Peak Gate Voltage（Forward）  
Peak Gate Voltage（Reverse）  
Critical Rate of Rise of On-State Current  
RGM  
V
5
V
1
G
D
DRM  
G
200  
di/dt  
I ＝100mA，Tj＝25℃，V ＝／V ，dI /dt＝0.1A/μs  
A/μs  
V
2
ISO  
V
A.C. 1 minute  
2500  
＊Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.）  
Tj  
＊
Operating Junction Temperature  
－40 to ＋125  
－40 to ＋125  
2.7（28）  
11（115）  
510  
℃
℃
Tstg  
＊Storage Temperature  
Mounting（M5） Recommended Value 1.5-2.5（15-25）  
Terminal（M8） Recommended Value 8.8-10 （90-105）  
Typical Value  
Mounting  
Torque  
N･ｍ  
（㎏f･B）  
g
Mass  
■Electrical Characteristics  
Symbol  
Item  
Conditions  
at V , Single phase, half wave, Tj＝125℃  
Ratings  
50  
Unit  
mA  
mA  
V
DRM  
I
Repetitive Peak Off-State Current, max.  
Repetitive Peak Reverse Current, max.  
Peak On-State Voltage, max.  
Gate Trigger Current/Voltage, max.  
Non-Trigger Gate, Voltage. min.  
Turn On Time, max.  
DRM  
RRM  
I
DRM  
50  
＊
＊
at V , Single phase, half wave, Tj＝125℃  
TM  
V
1.50  
100/3  
0.25  
10  
On-State Current 600A, Tj＝125℃ Inst. measurement  
GT  
GT  
/V  
T
D
I
Tj＝25℃，I ＝1A，V ＝6V  
mA/V  
V
1
GD  
V
D
DRM  
Tj＝125℃，V ＝  
／
2V  
1
tgt  
T
G
D
DRM  
G
I ＝200A，I ＝100mA，Tj＝25℃, V ＝／V ，dI /dt＝0.1A/μs  
μs  
2
2
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage, min.  
Holding Current, typ.  
D
DRM  
500  
50  
dv/dt  
Tj＝125℃, V ＝／V , Exponential wave.  
V/μs  
mA  
mA  
℃/W  
3
H
I
Tj＝25℃  
L
I
Lutching Current, typ.  
100  
0.18  
Tj＝25℃  
Junction to case  
Rth（j-c）＊Thermal Impedance, max.  
＊mark：Thyristor and Diode part. No mark：Thyristor part  
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: semi@sanrex.com  
12

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