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PJLC1V5D

更新时间： 2024-11-09 06:03:47
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强茂 - PANJIT /
页数 文件大小 规格书
4页 65K
描述
SINGLE AND DUAL LOW CAPACITANCE ESD / TRANSIENT PROTECTOR FOR 1.5 V SYSTEMS

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PJLC1V5D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.81
最小击穿电压：1.75 V配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3最大非重复峰值反向功率耗散：50 W
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1.5 V表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

PJLC1V5D 数据手册

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PJLC1V5, 1V5D  
SINGLE AND DUAL LOW CAPACITANCE ESD / TRANSIENT PROTECTOR  
FOR 1.5 V SYSTEMS  
This patented Single and Dual Zener like ESD/Transient Protector has been designed  
to protect Sensitive Equipment against ESD and prevent Latch-Up events, offering a  
minimum insertion loss in High speed Data Lines in Communications ports used in  
Portable Consumer, Computing and Networking Applications operating at 1.5V and  
3
1
below.  
SPECIFICATION FEATURES  
2
Maximum Capacitance of 10pF @ 0Vdc, 1 MHz  
Maximum Leakage Current of 2µA @ 1.5V  
Breakdown Voltage of 1.9V @ 1mA  
IEC61000-4-2 Compliance 15kV Air, 8kV Contact Discharge  
Industry Standard SOT23 Package  
APPLICATIONS  
2
1
High Speed Data Transmission Lines  
Microcontroller and Microprocessor I/O Interfaces  
Portable Consumer Electronics  
Instrumentation Equipment  
LAN/WAN Equipment  
3 (GND)  
SOT23  
MAXIMUM RATINGS  
Units  
Rating  
Peak Pulse Power (8/20µs Waveform)  
ESD Voltage (HBM)  
Symbol  
Value  
50  
P
pp  
W
kV  
°C  
°C  
°C  
V
>25  
ESD  
T
J
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
-55 to +125  
-55 to +150  
260  
T
stg  
Lead Soldering Temperature (max 10 s)  
T
L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tj = 25°C  
Parameter  
Min Typical Max  
Units  
V
Conditions  
Symbol  
Reverse Stand-Off Voltage  
V
1.5  
WRM  
1.75  
1.9  
1.8  
2.2  
V
I
I
= 100µA  
V
BR  
BR  
BR  
Reverse Breakdown Voltage  
1mA  
1.5V  
1 A  
V
=
=
=
=
I
2.0  
4
µA  
V
Reverse Leakage Current  
Clamping Voltage (8/20µs)  
Clamping Voltage (8/20µs)  
V
R
R
V
c
I
I
pp  
pp  
V
c
3 A  
7
V
I
Maximum Peak Pulse Current  
Off State Junction Capacitance  
8/20 µs Waveform  
5
A
pp  
0 Vdc Bias f = 1MHz  
Between I/O pins and pin 3  
6
10  
pF  
Cj  
7/21/2006  
Page  
1
www.panjit.com  
1234

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