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PHE13005

更新时间： 2024-09-27 17:02:03

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瑞能 - WEEN		/
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13页	481K
描述
High voltage, high speed NPN planar-passivated power switching transistor in a SOT78 plastic package intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications

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PHE13005 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最大降落时间（tf）：	900 ns
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	IEC-60134	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	4900 ns
VCEsat-Max：	1 V	Base Number Matches：	1

PHE13005 数据手册

PHE13005

Silicon diﬀused power transistor

Rev.01 - 30 March 2018

Product data sheet

1. General description

High voltage, high speed NPN planar-passivated power switching transistor in a SOT78 plastic

package intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications

2. Features and beneﬁts

•

Fast switching

•

High voltage capability of 700 V

Low thermal resistance

3. Applications

•

Electronic lighting ballasts

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Values

Unit

Absolute maximum rating

V_CESM

peak collector-emitter

voltage

V_BE= 0 V

700

I_C

DC; Fig. 1; Fig. 2; Fig. 4

T_mb≤ 25 °C; Fig. 3

Conditions

collector current (DC)

total power dissipation

P_tot

Symbol Parameter

Static characteristics

Min

Typ

Max

Unit

h_FE

DC current gain

I_C= 1 A; V_CE= 5 V; T_mb= 25 °C;

Fig. 11

I_C= 2 A; V_CE= 5 V; T_mb= 25 °C;

Fig. 11

12 3 4 5 6 7...13

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