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PH9025L,115

更新时间： 2024-09-24 19:55:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 瞄准线开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 87K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin

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PH9025L,115 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOIC包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, LFPAK-4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.24
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS雪崩能效等级（Eas）：55 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：25 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：66 A
最大漏极电流 (ID)：66 A最大漏源导通电阻：0.013 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-235
JESD-30 代码：R-PSSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：62.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PH9025L,115 数据手册

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PH9025L  
N-channel TrenchMOS logic level FET  
Rev. 01 — 23 August 2007  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic  
package using TrenchMOS technology.  
1.2 Features  
I Logic level threshold  
I Lead-free package  
I Very low switching and conduction  
losses  
I Optimized for use in DC-to-DC  
converters  
I 100 % RG tested  
I 100 % ruggedness tested  
1.3 Applications  
I DC-to-DC converters  
I Voltage regulators  
I Switched-mode power supplies  
I PC Motherboards  
1.4 Quick reference data  
I VDS ≤ 25 V  
I ID ≤ 66 A  
I RDSon ≤ 9 mΩ  
I QGD = 2.7 nC (typ)  
2. Pinning information  
Table 1.  
Pin  
Pinning  
Description  
Simplified outline  
Symbol  
1, 2, 3  
4
source (S)  
D
mb  
gate (G)  
mb  
mounting base; connected to drain (D)  
G
mbb076  
S
1
2 3 4  
SOT669 (LFPAK)  
 
 
 
 
 
 
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PH9025L,115 替代型号

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