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PH9030L

更新时间： 2024-09-24 06:00:27

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恩智浦 - NXP		/
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12页	155K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FET

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PH9030L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, LFPAK-5	针数：	235
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.23	雪崩能效等级（Eas）：	53 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	63 A
最大漏极电流 (ID)：	63 A	最大漏源导通电阻：	0.0125 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-235
JESD-30 代码：	R-PSSO-G4	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	62.5 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	214 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PH9030L 数据手册

PH9030L

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 01 — 29 July 2008

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

High efficiency due to low switching

Suitable for logic level gate drive

and conduction losses

sources

1.3 Applications

DC-to-DC convertors

Notebook computers

Portable equipment

Switched-mode power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage 25 °C ≤ T_j≤ 150 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1; see Figure 3

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

62.5

Dynamic characteristics

Q_GDgate-drain charge

V_GS= 4.5 V; I_D= 10 A;

3.2

V_DS= 12 V; see Figure 10;

see Figure 11

Static characteristics

R_DSon

drain-source

on-state resistance

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C; see Figure 8; see

Figure 9

mΩ

12 3 4 5 6 7...12

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