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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | PLASTIC, LFPAK-4 | 针数： | 235 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 38 A | 最大漏极电流 (ID)： | 38 A |
| 最大漏源导通电阻： | 16.9 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MO-235 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 41.6 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PH16030L,115 | NXP |
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PH16030L - N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin |
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| PH1617-10 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | FO-53 |
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| PH1617-12N | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-171VAR |
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| PH1617-2 | TE |
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Wireless Bipolar Power Transistor, 2W 1.6 - 1.7 GHz |
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| PH1617-2 | MACOM |
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Bipolar |
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| PH1617-30 | TE |
获取价格 |
Wireless Bipolar Power Transistor |
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| PH1617-4N | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SOT-171VAR |
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| PH1617-60 | TE |
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Wireless Power Transistor 60 Watts, 1615 - 1685 MHz |
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| PH163003B | ETC |
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Single 10Base-T/100Base-TX Transformer Design for varied turn ratio on Tx side |
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| PH163539 | ETC |
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E ph163539 gbfhang |
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