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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.75 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN THREE PHASE RECTIFIER DIODE BRIDGE | JESD-30 代码： | R-XUFM-X8 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 157 A | 重复峰值反向电压： | 1600 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PGH100N8 | NIEC |
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Silicon Controlled Rectifier, 157A I(T)RMS, 800V V(RRM), 1 Element, MODULE-8 |
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| PGH100N8 | KYOCERA AVX |
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本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品，并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电，在 |
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| PGH1016AM | NIEC |
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Silicon Controlled Rectifier |
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| PGH101N8 | KYOCERA AVX |
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本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品，并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电，在 |
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| PGH15016AM | NIEC |
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3-phase diode bridge plus thyristor |
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| PGH1508AM | NIEC |
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Park of diode Bridge & Thyristor |
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| PGH150N16 | NIEC |
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Silicon Controlled Rectifier, 235.5A I(T)RMS, 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-7 |
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| PGH150N16 | KYOCERA AVX |
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本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品，并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电，在 |
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| PGH150N8 | NIEC |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 235.5A I(T)RMS, 800V V(RRM), 1 Element, MODULE-7 |
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| PGH150N8 | KYOCERA AVX |
获取价格 |
本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品，并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电，在 |
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