5秒后页面跳转
PGH100N8 PDF预览

PGH100N8

更新时间: 2024-11-21 14:54:59
品牌 Logo 应用领域
京瓷/艾维克斯 - KYOCERA AVX 空调
页数 文件大小 规格书
9页 2612K
描述
本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品,并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电,在这一背景下,本公司致力于为通用逆变器、变频空调、太阳能发电系统及混合动力车提供功率模块产品。

PGH100N8 技术参数

生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.24
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN THREE PHASE RECTIFIER DIODE BRIDGEJESD-30 代码:R-XUFM-X8
元件数量:1端子数量:8
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:157 A重复峰值反向电压:800 V
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

PGH100N8 数据手册

 浏览型号PGH100N8的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PGH100N8的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PGH100N8的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PGH100N8的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PGH100N8的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PGH100N8的Datasheet PDF文件第7页 
PGH100N8  
THYRISTOR  
100A Avg 800 Volts  
回路図 CIRCUIT  
外形寸法図 OUTLINE DRAWING  
Dimension:[mm]  
総合定格・特性 Part of Diode Bridge & Thyristor  
最大定格 Maximum Ratings  
項 目  
Parameter  
記号  
Symbol  
単位  
Unit  
条件  
Conditions  
定格値  
Max.RatedValue  
平均出力電流  
AverageRectifiedOutputCurrent  
TC=124(電圧印加なし)  
100  
100  
三相全波整流  
3-PhaseFull  
WaveRectified  
Non-BiasedforThyristor  
TC= 99(電圧印加あり)  
BiasedforThyristor  
Io(AV)  
Tjw  
A
動作接合温度範囲  
OperatingJunctionTemperatureRange  
125150はサイリスタ部に順・逆電圧を  
印加しない事  
-40 +150  
Tj125,CannotbeBiasedforThyristor  
保存温度範囲  
StorageTemperatureRange  
絶縁耐圧  
-40 +125  
2500  
Tstg  
Viso  
端子-ベース間,AC1間  
TerminaltoBase,AC1min.  
サーマルコンパウンド塗布  
V
IsolationVoltage  
ベース部  
2.4 2.8  
2.4 2.8  
M5  
Mounting  
主端子部  
Greased  
締付トルク  
MountingTorque  
N・m  
F
M5  
Terminal  
ゲート端子部  
GateTerminal  
特性 Thermal Characteristics  
項 目  
Parameter  
接触熱抵抗  
ThermalResistance  
記号  
Symbol  
単位  
Unit  
条件  
Conditions  
ケース-フィン間(トータル)、サーマルコンパウンド塗布  
特性値(最大)  
MaximumValue  
/  
R
th(c-f)  
0.06  
CasetoFin,Total,Greased  
ダイオードブリッジ部(6子) Part of Diode Bridge(6 Arm.)  
大定格 Maximum Rating  
項 目  
記 号  
Symbol  
定格値  
Max.RatedValue  
単位  
Unit  
Parameter  
くり返しピーク逆電圧  
RepetitivePeakReverseVoltage  
非くり返しピーク逆電圧  
*1  
*1  
VRRM  
VRSM  
800  
V
V
900  
Non-RepetitivePeakReverseVoltage  
項 目  
Parameter  
記号  
Symbol  
単位  
Unit  
条件  
Conditions  
定格値  
Max.RatedValue  
サージ順電流  
SurgeForwardCurrent  
電流二乗時間積  
*1  
*1  
50Hz弦半波,1サイクル,非くり返し  
HalfSineWave,1Pulse,Non-Repetitive  
IFSM  
I2t  
f
1000  
5000  
400  
A
210ms  
A2s  
Hz  
I Squaredt  
許容周波数  
AllowableOperatingFrequency  
*11ーム当たりの値 ValuePer1Arm.  

与PGH100N8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PGH1016AM NIEC

获取价格

Silicon Controlled Rectifier
PGH101N8 KYOCERA AVX

获取价格

本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品,并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电,在
PGH15016AM NIEC

获取价格

3-phase diode bridge plus thyristor
PGH1508AM NIEC

获取价格

Park of diode Bridge & Thyristor
PGH150N16 NIEC

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 235.5A I(T)RMS, 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-7
PGH150N16 KYOCERA AVX

获取价格

本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品,并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电,在
PGH150N8 NIEC

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 235.5A I(T)RMS, 800V V(RRM), 1 Element, MODULE-7
PGH150N8 KYOCERA AVX

获取价格

本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品,并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电,在
PGH20016AM NIEC

获取价格

3-phase diode bridge plus thyristor
PGH20016AM_1 NIEC

获取价格

200A Avg 1600 Volts