生命周期: | Not Recommended | 包装说明: | R-PDSO-C2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.72 | 最大击穿电压: | 14.7 V |
最小击穿电压: | 13.3 V | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-C2 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 1500 W |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 12 V |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子形式: | C BEND | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PG1310 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 | |
PG1311 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 | |
PG1312 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 | |
PG1313 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 | |
PG1314 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 | |
PG1315 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 | |
PG1316 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 | |
PG1317 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 | |
PG1318 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 | |
PG1319 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 |