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PFS3520R

更新时间： 2024-02-14 21:28:46
品牌 Logo 应用领域
WTE 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 29K
描述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 35A, 16V V(RRM), Silicon, DO-21,

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PFS3520R 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-MUPF-P1
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.84
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ANODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JEDEC-95代码：DO-21JESD-30 代码：O-MUPF-P1
最大非重复峰值正向电流：400 A元件数量：1
相数：1端子数量：1
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：35 A封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：PRESS FIT
最大重复峰值反向电压：16 V最大反向电流：0.2 µA
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子形式：PIN/PEG端子位置：UPPER
Base Number Matches：1

PFS3520R 数据手册

 浏览型号PFS3520R的Datasheet PDF文件第2页 
®
PFS3520, PFS3524, PFS3536  
35A AVALANCHE 1/2” RUGGED LEAD PRESS-FIT DIODE  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Diffused Junction  
Low Leakage  
Low Cost  
High Surge Current Capability  
Typical IR less than 200nA  
Rugged 2.54mm Dia. Lead  
A
Anode +  
Mechanical Data  
DO-21 Rugged Lead  
Case: DO-21, Copper Case and Components  
Hermetically Sealed  
Dim  
A
Min  
Max  
15.97  
12.82  
15.77  
12.73  
Terminals: Contact Areas Readily Solderable  
Polarity: Cathode to Case (Reverse Units Are  
Available Upon Request and Are Designated  
By A “R” Suffix, i.e. PFS3520R or PFS3524R)  
Polarity: Red Color Equals Standard,  
Black Color Equals Reverse Polarity  
Mounting Position: Any  
C
B
C
2.54 Ø Typical  
F
D
9.55  
5.70  
9.85  
5.90  
E
D
F
22.55  
22.85  
E
All Dimensions in mm  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 2  
B
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
PFS3520  
PFS3524  
PFS3536  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
16  
20  
32  
V
Average Rectified Output Current  
@TC = 150°C  
IO  
35  
A
V
Breakdown Voltage Min.  
Breakdown Voltage Max.  
@IR = 100mA  
@IR = 100mA  
20  
26  
24  
32  
36  
42  
VBR  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on  
Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
400  
A
Forward Voltage  
@IF = 35A  
VFM  
IRM  
1.0  
V
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
200  
nA  
@TA = 25°C  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
CJ  
300  
1.2  
pF  
°C/W  
°C  
RθJC  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-65 to +175  
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
2. Thermal Resistance: Junction to case, single side cooled.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: April, 2012  
www.wontop.com  
1
12

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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