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PESD5V0U1BA,115

更新时间： 2024-09-29 18:59:59

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	72K
描述
PESD5V0U1BA; PESD5V0U1BB; PESD5V0U1BL - Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodes SOD 2-Pin

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PESD5V0U1BA,115 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOD	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	7.68	最大击穿电压：	9.5 V
最小击穿电压：	5.5 V	击穿电压标称值：	7 V
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	BIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	5 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

PESD5V0U1BA,115 数据手册

PESD5V0U1BA;

PESD5V0U1BB; PESD5V0U1BL

Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodes

Rev. 01 — 25 April 2007

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Ultra low capacitance bidirectional ElectroStatic Discharge (ESD) protection diodes in

small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages designed to protect one data line

from the damage caused by ESD.

Table 1.

Product overview

Type number

Package

NXP

Package

conﬁguration

JEITA

SC-76

SC-79

PESD5V0U1BA

PESD5V0U1BB

PESD5V0U1BL

SOD323

SOD523

SOD882

very small

ﬂat lead ultra small

leadless ultra small

1.2 Features

I Bidirectional ESD protection of one line I Ultra low leakage current: I_RM= 5 nA

I Ultra low diode capacitance: C_d= 2.9 pF I ESD protection of up to 10 kV

I IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)

1.3 Applications

I Computers and peripherals

I Communication systems

I Portable electronics

I Subscriber Identity Module (SIM) card

protection

I Audio and video equipment

I Cellular handsets and accessories

I 10/100/1000 Ethernet

I FireWire

I Local Area Network (LAN) equipment

I High-speed data lines

1.4 Quick reference data

Table 2.

Quick reference data

T_amb= 25 °C unless otherwise speciﬁed.

Symbol

Per diode

V_RWM

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

reverse standoff voltage

diode capacitance

C_d

f = 1 MHz; V_R= 0 V

2.9

3.5

12 3 4 5 6 7...12

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PESD5V0U1BA,115 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PESD5V0U1BA	NXP	类似代替	Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodes
CDSOD323-T12C	BOURNS	功能相似	CDSOD323-TxxC - TVS Diode Array Series
CDSOD323-T05C	BOURNS	功能相似	CDSOD323-TxxC - TVS Diode Array Series

与PESD5V0U1BA,115相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PESD5V0U1BA-Q	NEXPERIA	获取价格	Low capacitance bidirectional ESD protection diodeProduction
PESD5V0U1BB	NXP	获取价格	Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodes
PESD5V0U1BB	NEXPERIA	获取价格	Low capacitance bidirectional ESD protection diodeProduction
PESD5V0U1BB,115	NXP	获取价格	PESD5V0U1BA; PESD5V0U1BB; PESD5V0U1BL - Ultra low capacitance bidirectional ESD protection
PESD5V0U1BB-Q	NEXPERIA	获取价格	Low capacitance bidirectional ESD protection diodeProduction
PESD5V0U1BL	NEXPERIA	获取价格	Low capacitance bidirectional ESD protection diodeProduction
PESD5V0U1BL	NXP	获取价格	Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodes
PESD5V0U1BL	UMW	获取价格	反向截止电压（Vrwm）:5V;极性/通道数（Channel）:1-Line，Bidire
PESD5V0U1BL,315	NXP	获取价格	PESD5V0U1BA; PESD5V0U1BB; PESD5V0U1BL - Ultra low capacitance bidirectional ESD protection
PESD5V0U1BLD	NXP	获取价格	Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diode

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