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PESD24VS2UAT

更新时间: 2024-11-30 22:16:59
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恩智浦 - NXP 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
13页 121K
描述
Double ESD protection diodes in SOT23 package

PESD24VS2UAT 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-23
包装说明:PLASTIC PACKAGE-3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.52
Is Samacsys:N最大击穿电压:27.5 V
最小击穿电压:26.5 V击穿电压标称值:27 V
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:160 W
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:24 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

PESD24VS2UAT 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PESDxS2UAT series  
Double ESD protection diodes  
in SOT23 package  
Product specification  
2004 Feb 18  

PESD24VS2UAT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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