是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.74 | Is Samacsys: | N |
最大击穿电压: | 27.5 V | 最小击穿电压: | 26.5 V |
配置: | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码: | TO-236AB |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 160 W |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 参考标准: | IEC-60134; IEC-61000-4-2; IEC-61000-4-5 |
最大重复峰值反向电压: | 24 V | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MMBZ27VALT3G | ONSEMI |
功能相似 |
24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PESD24VS2UAT,215 | NXP |
获取价格 |
PESDxS2UAT series - Double ESD protection diode in SOT23 package TO-236 3-Pin | |
PESD24VS2UAT-Q | NEXPERIA |
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Double ESD protection diode in SOT23 packageProduction | |
PESD24VS2UQ | NXP |
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Double ESD protection diodes in SOT663 package | |
PESD24VS2UQ | NEXPERIA |
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Double ESD protection diode in SOT663 packageProduction | |
PESD24VS2UQ,115 | NXP |
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PESD24VS2UQ - Double ESD protection diodes SOT 3-Pin | |
PESD24VS2UQT/R | NXP |
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TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE,DUAL,UNIDIRECTIONAL,CENTER-TAPPED,24V V(RWM),SOT-663 | |
PESD24VS2UT | NXP |
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Double ESD protection diodes in SOT23 package | |
PESD24VS2UT | NEXPERIA |
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Double ESD protection diodeProduction | |
PESD24VS2UT | UMW |
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反向截止电压(Vrwm):24V;极性/通道数(Channel):2-Line,Unidi | |
PESD24VS2UT,215 | NXP |
获取价格 |
PESDxS2UT series - Double ESD protection diodes in SOT23 package TO-236 3-Pin |