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PE25GB80

更新时间： 2024-11-07 22:32:31
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描述
THYRISTOR MODULE

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PE25GB80 数据手册

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THYRISTOR MODULE  
(
)
PD,PE,KK  
PK  
25GB  
UL;E76102（M）  
Power Thyristor/Diode Module PK25GB series are designed for various rectifier circuits  
and power controls. For your circuit application. following internal connections and wide  
voltage ratings up to 800V are available. and electrically isolated mounting base make  
your mechanical design easy.  
93.5MAX  
80  
2- 6.5  
3
2
1
●
T(AV)  
T(RMS)  
TSM  
39A, I  
I
25A, I  
500A  
~
+
–
Internal Configurations  
● di/dt 100 A/μs  
● dv/dt 500V/μs  
16.5  
23  
23  
3-M5  
K2  
G2  
K2  
G2  
（Applications）  
3
2
1
110TAB  
K1G1  
（A2）�  
（K2）�  
3
2
1
A1K2  
K1  
（K2）�  
（A2）�  
A1K2  
Various rectifiers  
PK  
PE  
AC/DC motor drives  
Heater controls  
Light dimmers  
K2  
2
K2  
G2  
3
2
1
1
1
K1G1  
（A2）�  
（K2）�  
A1K2  
K1G1  
（A2）�  
（A1）�  
Static switches  
Unit：  
A
PD  
KK  
■Maximum Ratings  
Ratings  
Symbol  
Item  
Unit  
PK25GB40 PD25GB40  
KK25GB40 PE25GB40  
PK25GB80 PD25GB80  
KK25GB80 PE25GB80  
VRRM  
VRSM  
VDRM  
400  
480  
400  
800  
960  
800  
V
V
V
＊
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
Repetitive Peak Off-State Voltage  
＊
Symbol  
Item  
Conditions  
Ratings  
Unit  
A
T（AV）  
I
25  
＊Average On-State Current  
＊R.M.S. On-State Current  
＊Surge On-State Current  
Single phase, half wave, 180°conduction, Tc：97℃  
T（RMS）  
I
39  
A
Single phase, half wave, 180°conduction, Tc：97℃  
1
TSM  
I
A
／cycle, 50Hz/60Hz, peak Value, non-repetitive  
450/500  
2
2
2
2
I t  
Value for one cycle of surge current  
1000  
A S  
＊I t  
GM  
P
Peak Gate Power Dissipation  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current  
10  
W
W
G（AV）  
P
1
FGM  
I
3
10  
A
FGM  
V
Peak Gate Voltage (Forward)  
Peak Gate Voltage (Rsverse)  
Critical Rate of Rise of On-State Current  
V
RGM  
V
5
V
1
G
D
DRM  
G
100  
di／dt  
I ＝100mA，Tj＝25℃，V ＝  
／
2V ，dI  
/
dt＝0.1A/μs  
A/μs  
V
ISO  
V
A.C.1minute  
2500  
＊
Isolation Breakdown Voltage (R.M.S.)  
Operating Junction Temperature  
Tj  
＊
－40 to ＋125  
－40 to ＋125  
4.7（48）  
2.7（28）  
170  
℃
℃
Tstg  
＊Storage Temperature  
Mounting（M5） Recommended Value 2.5-3.9（25-40）  
Terminal（M5） Recommended Value 1.5-2.5（15-25）  
Mounting  
Torque  
N･m  
（㎏f･B）  
g
Mass  
■Electrical Characteristics  
Symbol  
Item  
Conditions  
at V , single phase, half wave, Tj＝125℃  
Ratings  
4
Unit  
mA  
mA  
V
DRM  
I
Repetitive Peak Off-State Current, max.  
Repetitive Peak Reverse Current, max.  
Peak On-State Voltage, max.  
Gate Trigger Current/Voltage, max.  
Non-Trigger Gate, Voltage. min.  
Turn On Time, max.  
DRM  
DRM  
RRM  
I
4
＊
＊
at V , single phase, half wave, Tj＝125℃  
On-State Current 75A, Tj＝125℃ Inst. measurement  
TM  
V
1.50  
50/3  
0.25  
10  
GT  
GT  
T
D
mA/V  
V
I ／V  
Tj＝25℃，I ＝1A，V ＝6V  
1
GD  
V
D
DRM  
2
Tj＝125℃，V ＝／V  
1
tgt  
T
G
D
DRM  
G
I ＝25A，I ＝100mA，Tj＝25℃，V ＝／V ，dI /dt＝0.1A/μs  
μs  
2
2
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage, min.  
Holding Current, typ.  
D
DRM  
500  
50  
dv／dt  
Tj＝125℃, V ＝／V , Exponential wave.  
V/μs  
mA  
mA  
℃/W  
3
H
I
Tj＝25℃  
L
I
Lutching Current, typ.  
100  
0.80  
Tj＝25℃  
Junction to case  
Rth（j-c）＊Thermal Impedance, max.  
＊mark：Thyristor and Diode part. No mark：Thyristor part  
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: semi@sanrex.com  
12

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