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PDZ3.0B PDF预览

PDZ3.0B

更新时间: 2024-11-22 22:08:19
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恩智浦 - NXP 稳压二极管齐纳二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 67K
描述
Voltage regulator diodes

PDZ3.0B 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SC-76
包装说明:R-PDSO-G2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.27
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:3 V
最大反向电流:10 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
电压温度Coeff-Max:最大电压容差:2%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

PDZ3.0B 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
PDZ-B series  
Voltage regulator diodes  
1998 Apr 23  
Product specification  
Supersedes data of 1998 Jan 09  

PDZ3.0B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PDZ3.0B,115 NXP

完全替代

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DIODE 2.96 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC, SC-76, 2 PI
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