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PDZ2.7B

更新时间： 2024-11-24 11:10:55

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安世 - NEXPERIA		测试二极管
页数	文件大小	规格书
11页	251K
描述
Single Zener diodesProduction

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PDZ2.7B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.74	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.4 W
参考标准：	IEC-60134	标称参考电压：	2.7 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
最大电压容差：	2%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

PDZ2.7B 数据手册

PDZ-B series

Single Zener diodes

Rev. 5 — 21 December 2022

Product data sheet

1. General description

Low-power general purpose voltage regulator diodes in a very small SOD323 (SC-76) Surface-

Mounted Device (SMD) plastic package.

2. Features and benefits

•

Total power dissipation: P_tot≤ 400 mW

•

Small plastic package suitable for surface mounted design

Wide variety of voltage ranges: nominal 2.4 V to 36 V (E24 range)

Tolerance approximately ± 2 %

PDZ5.1B - 10B: Very low dynamic impedances at low currents, very low leakage current, hard

breakdown knee

3. Applications

•

General voltage regulation

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

I_F= 10 mA

T_amb≤ 25 °C

Min

Typ

Max

0.9

Unit

V_F

forward voltage

[1]

[2]

P_tot

total power dissipation

400

[1] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.

[2] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard footprint.

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