PDT10012

更新时间： 2024-11-02 10:15:03

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NIEC		栅极触发装置可控硅整流器局域网
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4页	258K
描述
100A Avg 1200~1600 Volts

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PDT10012 数据手册

PDT 10012 PDT 10016

PDH 10012 PDH 10016

PCH 10012 PCH 10016

T H Y R IS T O R 100A A vg 1200～1600 Volts

■回路図ꢀCIRCU IT

PD H

PCH

PD T

K2 G2

K1 G1

■外形寸法図ꢀO U TLIN E D RAW IN G

（単位ꢀDim ension：m m ）

PD T

PD H

PCH

■最大定格ꢀM axim um Ratings

耐圧クラスꢀGrade

単位

Unit

項ꢀꢀꢀ目

Param eter

記号

Sym bol

PDT10012/PDH10012/PCH10012

1200

PDT10016/PDH10016/PCH10016

1600

くり返しピークオフ電圧

Repetitive Peak Off-State Voltage

VDRM

VDSM

VRRM

VRSM

非くり返しピークオフ電圧

Non Repetitive Peak Off-State Voltage

1300

1200

1300

1700

1600

1700

くり返しピーク逆電圧

Repetitive Peak Reverse Voltage

非くり返しピーク逆電圧

Non Repetitive Peak Reverse Voltage

単位

Unit

項ꢀꢀꢀ目

Param eter

記号

Sym bol

条ꢀꢀꢀ件

Conditions

定格値

M ax. Rated Value

平均整流電流

A verage Rectified Output Current

商用周波数ꢀ180°通電

Half Sine W ave

Tc＝77℃

100

I0（A V）

IT（RM S）

ITSM

実効オン電流

RM S On-State Current

156

サージオン電流

Surge On-State Current

50Hz正弦半波，１サイクル，非くり返し

Half Sine W ave, 1Pulse, Non-Repetitive

2000

電流二乗時間積

I Squared t

２～10m s

20000

²s

臨界オン電流上昇率

Critical Rate of Rise of Turned-On Current

VD=2/3VDRM ，ITM =2・IO，Tj＝125℃

IG=200m A ，diG/dt=0.2A /μs

di/dt

PGM

100

A /μs

ピークゲート電力損失

Peak Gate Pow er

平均ゲート電力損失

A verage Gate Pow er

P（G A V）

IGM

ピークゲート電流

Peak Gate Current

ピークゲート電圧

Peak Gate Voltage

VGM

ピークゲート逆電圧

Peak Gate Reverse Voltage

VRGM

Tjw

動作接合温度範囲

Operating Junction Tem perature Range

－40～＋125

2500

℃

保存温度範囲

Storage Tem perature Range

Tstg

絶縁耐圧

Isolation Voltage

端子－ベース間，A C１分間

Term inal to Base, A C１m in.

Viso

ベース部

M ounting

サーマルコンパウンド塗布

Greased

M 6

2.4～3.5

2.4～2.8

N・m

締付トルク

M ounting Torque

主端子部

Term inal

M 5

１アーム当りの値ꢀValue Per 1 A rm .

─ 187 ─

12 3 4

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