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PDMB800E6

更新时间: 2024-11-20 06:00:07
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NIEC 晶体晶体管双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 271K
描述
IGBT Module-Dual

PDMB800E6 数据手册

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QS043-402-20396(2/5)  
PDMB800E6  
IGBT Module-D ual  
回 路 図 CIRCUIT  
800,600V  
外 形 寸 法 図 OUTLINE DRAWING  
140  
130  
4 - Ø6.5  
110  
10  
11.5  
43.8  
36  
13.8  
7(G2)  
6(E2)  
7
3-M8  
(C2E1)  
1
(E2)  
2
(C1)  
3
6
1
2
3
5
4
5(E1)  
4(G1)  
4-M4  
LABEL  
Dimension:[mm]  
最 大 定 格 MAXIMUM RATINGS (T=25℃)  
Item  
Symbol  
CES  
Rated Value  
Unit  
コレクタ・エミッタ間電圧  
Collector-Emitter Voltage  
600  
±20  
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧  
Gate-Emitter Voltage  
GES  
C  
DC  
800  
コ レ ク タ 電 流  
Collector Current  
CP  
1ms  
1,600  
コ レ ク タ 損 失  
Collector Power Dissipation  
C  
j  
2,700  
Junction Temperature Range  
-40~+150  
-40~+125  
2,500  
stg  
ISO  
Storage Temperature Range  
圧(Terminal to Base AC,1minute)  
(RMS)  
Isolation Voltage  
Module Base to Heatsink  
Busbar to Terminals  
3(30.6)  
1.4(14.3)  
10.5107)  
締 め 付 け ト ル ク  
Mounting Torque  
N・m  
(kgf・cm)  
tor  
M4  
M8  
電 気 的 特 性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T=25℃)  
Characteristic  
コ レ ク タ 遮 断 電 流  
Symbol  
CES  
Test Condition  
CE= 800V,VGE= 0V  
Min.  
Typ.  
Max. Unit  
mA  
μA  
1.0  
1.0  
2.6  
Collector-Emitter Cut-Off Current  
ゲ ー ト 漏 れ 電 流  
GES  
CE(sat)  
GE(th)  
ies  
GE= ±20V,VCE= 0V  
= 800A,VGE= 15V  
2.1  
Gate-Emitter Leakage Current  
コレクタ・エミッタ間飽和電圧  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
ゲ ー ト し き い 値 電 圧  
CE= 5V,I= 800mA  
4.0  
8.0  
Gate-Emitter Threshold Voltage  
CE= 10V,VGE= 0V,f= 1MHZ  
pF  
40,000  
Input Capacitance  
r  
on  
f  
CC= 300V  
= 0.375Ω  
= 1.5Ω  
GE= ±15V  
0.15  
0.30  
0.10  
0.40  
上 昇 時 間 Rise  
ターンオン時間 Turn-on Time  
下 降 時 間 Fall Time  
ターンオフ時間 Turn-off Time  
Time  
0.35  
0.85  
0.25  
0.80  
スイッチング時間  
Switching Time  
μs  
off  
フリーホイーリングダイオードの 特 性FREE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS(T=25℃)  
Item  
Symbol  
F  
FM  
Rated Value  
800  
Unit  
DC  
Forward Current  
1ms  
1,600  
Characteristic  
Symbol  
F  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
1.9  
Max. Unit  
= 800A,VGE= 0V  
2.4  
Peak Forward Voltage  
逆 回 復 時 間  
= 800A,VGE= -10V  
di/dt= 1600A/μs  
rr  
0.15  
0.25  
μs  
Reverse Recovery Time  
熱 的 特 性 : THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Rth(j-c)  
Test Condition  
Junction to Case  
Min.  
Typ.  
Max. Unit  
IGBT  
Diode  
0.045  
℃/W  
0.110  
Thermal Impedance  
(Tc測定点チップ直下)  
00  
日本インター株式会社  

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