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PDMC200B12C2

更新时间: 2024-11-20 10:15:07
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NIEC /
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3页 251K
描述
200A 1200V

PDMC200B12C2 数据手册

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QS043-401M0061 (2/4)  
PDMB200B12C  
IGBT Module-Dual  
回 路 図 CIRCUIT  
200 ,1200V  
PDMB200B12C2  
外 形 寸 法 図 OUTLINE DRAWING  
108  
±0.25  
93  
94.0  
4-Ø6.5  
3-M6  
14  
14 11 14 11  
80 ±0.25  
11.0  
12.0  
12.0 11.0 12.0  
7(G2)  
6(E2)  
2-Ø6.5  
(C2E1)  
1
(E2)  
2
(C1)  
3
7
6
7
6
1
2
3
1
2
3
5
4
5
4
5(E1)  
4(G1)  
3-M5  
23.0  
9
23.0  
9
17.0  
25  
9
25  
9
24  
4-fasten tab  
#110 t=0.5  
16  
16  
16  
14  
14  
14  
LABEL  
LABEL  
PDMB200B12C  
PDMB200B12C2  
Dimension:[mm]  
最 大 定 格 MAXIMUM RATINGS (T=25℃)  
Item Symbol  
Rated Value  
1,200  
Unit  
コレクタ・エミッタ間電圧  
Collector-Emitter Voltage  
CES  
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧  
Gate-Emitter Voltage  
GES  
±20  
C  
DC  
200  
400  
コ レ ク タ 電 流  
Collector Current  
CP  
1ms  
コ レ ク タ 損 失  
Collector Power Dissipation  
C  
960  
Junction Temperature Range  
j  
-40~+150  
-40~+125  
stg  
ISO  
tor  
Storage Temperature Range  
圧(Terminal to Base AC,1minute)  
2,500  
(RMS)  
N・m  
Isolation Voltage  
Module Base to Heatsink  
Busbar to Main Terminal  
3(30.6)  
締 め 付 け ト ル ク  
Mounting Torque  
(kgf・cm)  
PDMB200B12C2 2(20.4)  
PDMB200B12C 3(30.6)  
電 気 的 特 性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T=25℃)  
Characteristic  
コ レ ク タ 遮 断 電 流  
Symbol  
CES  
Test Condition  
CE= 1200V,VGE= 0V  
Min.  
Typ.  
Max. Unit  
4.0  
1.0  
2.4  
8.0  
mA  
μA  
Collector-Emitter Cut-Off Current  
ゲ ー ト 漏 れ 電 流  
GES  
CE(sat)  
GE(th)  
ies  
GE= ±20V,VCE= 0V  
= 200A,VGE= 15V  
1.9  
Gate-Emitter Leakage Current  
コレクタ・エミッタ間飽和電圧  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
ゲ ー ト し き い 値 電 圧  
CE= 5V,I= 200mA  
4.0  
Gate-Emitter Threshold Voltage  
CE= 10V,VGE= 0V,f= 1MHZ  
16,600  
pF  
Input Capacitance  
r  
on  
f  
上 昇 時 間 Rise  
ターンオン時間 Turn-on Time  
下 降 時 間 Fall Time  
ターンオフ時間 Turn-off Time  
Time  
0.25  
0.40  
0.25  
0.80  
0.45  
0.70  
0.35  
1.10  
CC= 600V  
L= 3Ω  
スイッチング時間  
Switching Time  
μs  
G= 2Ω  
GE= ±15V  
off  
フリーホイーリングダイオードの 特 性FREE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS(T=25℃)  
Item  
Symbol  
F  
FM  
Rated Value  
Unit  
DC  
200  
400  
Forward Current  
1ms  
Characteristic  
Symbol  
F  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
1.9  
Max. Unit  
= 200A,VGE= 0V  
2.4  
0.3  
Peak Forward Voltage  
逆 回 復 時 間  
= 200A,VGE= -10V  
di/dt= 400A/μs  
rr  
0.2  
μs  
Reverse Recovery Time  
熱 的 特 性 : THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Rth(j-c)  
Test Condition  
Junction to Case  
Min.  
Typ.  
Max. Unit  
IGBT  
Diode  
0.125  
℃/W  
Thermal Impedance  
0.24  
日本インター株式会社  

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