QS043-401M0061 (2/4)
PDMB200B12C
IGBT Module-Dual
□ 回 路 図 : CIRCUIT
200 A,1200V
PDMB200B12C2
□ 外 形 寸 法 図 : OUTLINE DRAWING
108
±0.25
93
94.0
4-Ø6.5
3-M6
14
14 11 14 11
80 ±0.25
11.0
12.0
12.0 11.0 12.0
7(G2)
6(E2)
2-Ø6.5
(C2E1)
1
(E2)
2
(C1)
3
7
6
7
6
1
2
3
1
2
3
5
4
5
4
5(E1)
4(G1)
3-M5
23.0
9
23.0
9
17.0
25
9
25
9
24
4-fasten tab
#110 t=0.5
16
16
16
14
14
14
LABEL
LABEL
PDMB200B12C
PDMB200B12C2
Dimension:[mm]
□ 最 大 定 格 : MAXIMUM RATINGS (TC=25℃)
Item Symbol
Rated Value
1,200
Unit
V
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
VCES
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Gate-Emitter Voltage
VGES
±20
V
A
W
℃
℃
IC
DC
200
400
コ レ ク タ 電 流
Collector Current
ICP
1ms
コ レ ク タ 損 失
Collector Power Dissipation
PC
960
接
合
温
Junction Temperature Range
度
Tj
-40~+150
-40~+125
保
存
温
度
Tstg
VISO
Ftor
Storage Temperature Range
圧(Terminal to Base AC,1minute)
絶
縁
耐
2,500
V(RMS)
N・m
Isolation Voltage
Module Base to Heatsink
Busbar to Main Terminal
3(30.6)
締 め 付 け ト ル ク
Mounting Torque
(kgf・cm)
PDMB200B12C2 2(20.4)
PDMB200B12C 3(30.6)
□ 電 気 的 特 性 : ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃)
Characteristic
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Symbol
ICES
Test Condition
VCE= 1200V,VGE= 0V
Min.
-
Typ.
-
Max. Unit
4.0
1.0
2.4
8.0
-
mA
μA
V
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
IGES
VCE(sat)
VGE(th)
Cies
VGE= ±20V,VCE= 0V
IC= 200A,VGE= 15V
-
-
-
1.9
-
Gate-Emitter Leakage Current
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
VCE= 5V,IC= 200mA
4.0
-
V
Gate-Emitter Threshold Voltage
入
力
容
量
VCE= 10V,VGE= 0V,f= 1MHZ
16,600
pF
Input Capacitance
tr
ton
tf
上 昇 時 間 Rise
ターンオン時間 Turn-on Time
下 降 時 間 Fall Time
ターンオフ時間 Turn-off Time
Time
-
-
-
-
0.25
0.40
0.25
0.80
0.45
0.70
0.35
1.10
VCC= 600V
RL= 3Ω
スイッチング時間
Switching Time
μs
RG= 2Ω
VGE= ±15V
toff
□フリーホイーリングダイオードの 特 性: FREE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS(TC=25℃)
Item
Symbol
IF
IFM
Rated Value
Unit
A
順
電
流
DC
200
400
Forward Current
1ms
Characteristic
圧
Symbol
VF
Test Condition
Min.
-
Typ.
1.9
Max. Unit
順
電
IF= 200A,VGE= 0V
2.4
0.3
V
Peak Forward Voltage
逆 回 復 時 間
IF= 200A,VGE= -10V
di/dt= 400A/μs
trr
-
0.2
μs
Reverse Recovery Time
□ 熱 的 特 性 : THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
抗
Symbol
Rth(j-c)
Test Condition
Junction to Case
Min.
-
-
Typ.
-
-
Max. Unit
熱
抵
IGBT
Diode
0.125
℃/W
Thermal Impedance
0.24
日本インター株式会社