Datasheet > 晶体管 > IGBT> PDMB300A6

PDMB300A6

更新时间： 2024-11-05 10:15:07

品牌	Logo	应用领域
NIEC		/
页数	文件大小	规格书
4页	146K
描述
300 A 600 V

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PDMB300A6 数据手册

PDM B300A 6C

IG B T 300 A 600 V

■回路図ꢀCIRCU IT

■外形寸法図ꢀO U TLIN E D RAW IN G

（単位ꢀDim ension：m m ）

PDM B300A 6

PDM B300A 6C

C2E1

■最大定格ꢀM axim um Ratings（TC＝25℃）

単位

Unit

項ꢀꢀꢀ目

Item

記号

Sym bol

定ꢀ格ꢀ値

Rated Value

コレクタ・エミッタ間電圧

Collector-Em itter Voltage

VCES

VGES

600

ゲート・エミッタ間電圧

Gate-Em itter Voltage

±20

300

600

コレクタ電流

Collector Current

1m s

ICP

コレクタ損失

Collector Pow er Dissipation

1040

接合温度

Junction Tem perature Range

－40～＋150

－40～＋125

2500

℃

保存温度

Storage Tem perature Range

Tstg

Viso

℃

絶縁耐圧（端子－ベース間，A C１分間）

Isolation Voltag（e Term inal to Base, A C１m in.）

V（RM S）

ベース取付部

M odule Base to Heatsink

締付トルク

M ounting Torque

PDM B300A 6

2（20.4）

PDM B300A 6C

3（30.6）

N・m

（kgf・cm ）

Ftor

端子部

Busbar to Term inal

■電気的特性ꢀElectrical Characteristics（TC＝25℃）

項ꢀꢀꢀ目

Characteristic

記号

Sym bol

条ꢀꢀꢀ件

Test Conditions

最小

M in.

標準

Typ.

最大

M ax.

単位

Unit

コレクタ遮断電流

Collector-Em itter Cut-Off Current

ICES

IGES

VCE＝600V, VGE＝0V

VGE＝±20V, VCE＝0V

─

2.1

─

3.0

500

2.6

8.0

m A

ゲート漏れ電流

Gate-Em itter Leakage Current

─

4.0

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

Collector-Em itter Saturation Voltage

VC（E sat） IC＝300A , VGE＝15V

VG（E th） VCE＝5V, IC＝300m A

ゲートしきい値電圧

Gate-Em itter Threshold Voltage

Ｉ

Ｇ

Ｂ

Ｔ

モ

ジ

ュ

ー

ル

入力容量

Input Capacitance

Cies

VCE＝10V, VGE＝0V, f＝1M Hz

─

30000

0.2

─

上昇時間

Rise Tim e

0.4

VCC＝300V

R^L＝1.0Ω

R^G＝2.0Ω

V^GE＝±15V

ターン・オン時間

Turn-On Tim e

ton

0.4

0.75

0.35

0.8

スイッチング時間

Sw itching Tim e

μs

下降時間

Fall Tim e

0.2

ターン・オフ時間

Turn-Off Tim e

toff

0.6

─ 402 ─

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与PDMB300A6相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PDMB300A6_1	NIEC	获取价格	300 A 600 V
PDMB300A6C	NIEC	获取价格	300 A 600 V
PDMB300B12	NIEC	获取价格	300A, 1200V
PDMB300B12_1	NIEC	获取价格	300A, 1200V
PDMB300B12C	NIEC	获取价格	300A, 1200V
PDMB300BS12	NIEC	获取价格	IGBT Module-Dual
PDMB300BS12C	NIEC	获取价格	IGBT Module-Dual
PDMB300C12	NIEC	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
PDMB300C12C	NIEC	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
PDMB300E6	NIEC	获取价格	IGBT Module-Dual