5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SOJ, SOJ32,.34 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 12 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ32,.34 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.025 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.24 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDM41024SA/S15SO | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| PDM41024SA/S15SOI | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32 |
|
| PDM41024SA/S15T | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, |
|
| PDM41024SA/S15TI | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32 |
|
| PDM41024SA/S15TSO | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| PDM41024SA/S15TSOI | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, |
|
| PDM41024SA/S17SO | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 17ns, CMOS, PDSO32 |
|
| PDM41024SA/S17SOI | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| PDM41024SA/S17T | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 17ns, CMOS, PDSO32 |
|
| PDM41024SA/S17TI | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 17ns, CMOS, PDSO32 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
