5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SOJ, SOJ32,.44 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 12 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J32 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 105 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ32,.44 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDM41024SA12SOATY | ETC |
获取价格 |
1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit |
|
| PDM41024SA12SOI | ETC |
获取价格 |
1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit |
|
| PDM41024SA12SOITR | ETC |
获取价格 |
1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit |
|
| PDM41024SA12SOITY | ETC |
获取价格 |
1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit |
|
| PDM41024SA12SOTR | ETC |
获取价格 |
1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit |
|
| PDM41024SA12SOTY | ETC |
获取价格 |
1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit |
|
| PDM41024SA12T | ETC |
获取价格 |
1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit |
|
| PDM41024SA12TA | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, TSOP1-32 |
|
| PDM41024SA12TATR | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, TSOP1-32 |
|
| PDM41024SA12TATY | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, TSOP1-32 |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
