Datasheet > PDM31548SA20SOATR

PDM31548SA20SOATR

更新时间： 2024-11-24 15:47:39

品牌	Logo	应用领域
IXYS		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	267K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PDM31548SA20SOATR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.27
最长访问时间：	20 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-J44
长度：	28.56 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	105 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.76 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

PDM31548SA20SOATR 数据手册

浏览型号PDM31548SA20SOATR的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号PDM31548SA20SOATR的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号PDM31548SA20SOATR的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号PDM31548SA20SOATR的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号PDM31548SA20SOATR的Datasheet PDF文件第6页

PDM31548

PRELIMINARY

PDM31548

128K x 16 CMOS

3.3V Static RAM

Features

Description

■ High-speed access times

- Com’l: 10, 12, 15 and 20 ns

- Ind: 12, 15 and 20 ns

■ Low power operation (typical)

- PDM31548SA

The PDM31548 is a high-performance CMOS static

RAM organized as 131,072 x 16 bits. The PDM31548

features low power dissipation using chip enable

(CE) and has an output enable input (OE) for fast

memory access. Byte access is supported by upper

and lower byte controls.

Active: 250 mW

Standby: 25 mW

The PDM31548 operates from a single 3.3V power

supply and all inputs and outputs are fully TTL-

compatible.

■ High-density 128K x 16 architecture

■ 3.3V (±0.3V) power supply

■ Fully static operation

■ TTL-compatible inputs and outputs

■ Output buffer controls: OE

■ Data byte controls: LB, UB

■ Packages:

The PDM31548 is available in a 44-pin 400-mil plas-

tic SOJ and a plastic TSOP (II) package for high-

density surface assembly and is suitable for use in

high-speed applications requiring high-speed

storage.

Plastic SOJ (400 mil) - SO

Plastic TSOP (II) - T

Functional Block Diagram

Vcc

Vss

Memory

A8-A0

Cell

Array

256 x 128 x 32

512 x 128 x 32

Data

Input/

Output

Buffer

I/O15-I/O0

Sense Amp

Column

Decoder

Control

Logic

Column

Address

Buffer

Clock

Generator

A15-A9

Rev. 1.3 - 4/13/98

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与PDM31548SA20SOATR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PDM31548SA20SOATY	IXYS	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
PDM31548SA20TATR	IXYS	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44
PDM31548SA20TATY	IXYS	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44
PDM31564	ETC	获取价格	256 X 16 CMOS 3.3V STATIC RAM
PDM31564SA10TTY	IXYS	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44
PDM31564SA12SO	IXYS	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
PDM31564SA12SOITY	IXYS	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
PDM31564SA12SOTR	IXYS	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
PDM31564SA12T	IXYS	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44
PDM31564SA12TI	IXYS	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44

与PDM31548SA20SOATR相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

38
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

30
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

58
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PDM31548SA20SOATR

PDM31548SA20SOATR 技术参数

PDM31548SA20SOATR 数据手册

与PDM31548SA20SOATR相关器件

与PDM31548SA20SOATR相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PDM31548SA20SOATR

PDM31548SA20SOATR 技术参数

PDM31548SA20SOATR 数据手册

与PDM31548SA20SOATR相关器件

与PDM31548SA20SOATR相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？