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PDM31564SA12SOTR

更新时间： 2024-11-24 20:45:59

品牌	Logo	应用领域
IXYS		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	274K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44

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PDM31564SA12SOTR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.31
最长访问时间：	12 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-J44
长度：	28.56 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.76 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

PDM31564SA12SOTR 数据手册

PDM31564

PRELIMINARY

PDM31564

256K x 16 CMOS

3.3V Static RAM

Features

Description

■ High-speed access times

- Com’l: 8, 10, 12, 15, and 20 ns

- Ind: 12, 15, and 20 ns

■ Low power operation (typical)

- PDM31564SA

The PDM31564 is a high-performance CMOS static

RAM organized as 262,144 x 16 bits. The PDM31564

features low power dissipation using chip enable

(CE) and has an output enable input (OE) for fast

memory access. Byte access is supported by upper

and lower byte controls.

Active: 300 mW

Standby: 25mW

The PDM31564 operates from a single 3.3V power

supply and all inputs and outputs are fully TTL-

compatible.

■ High-density 256K x 16 architecture

■ 3.3V (±0.3V) power supply

■ Fully static operation

■ TTL-compatible inputs and outputs

■ Output buffer controls: OE

■ Data byte controls: LB, UB

■ Packages:

The PDM31564 is available in a 44-pin 400-mil plas-

tic SOJ and a plastic TSOP package for high-density

surface assembly and is suitable for use in high-

speed applications requiring high-speed storage.

Plastic SOJ (400 mil) - SO

Plastic TSOP (II) - T

Functional Block Diagram

Vcc

Vss

A8 - A0

A7-A0

Memory

Cell

Array

256 x 128 x 32

512 x 256 x 32

Data

Input/

Output

Buffer

I/O15-I/O0

Sense Amp

Column

Decoder

Control

Logic

Column

Address

Buffer

Clock

Generator

A15-A8

Rev. 1.2 - 3/31/98

12 3 4 5 6 7...9

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与PDM31564SA12SOTR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PDM31564SA12T	IXYS	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44
PDM31564SA12TI	IXYS	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44
PDM31564SA12TTY	IXYS	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44
PDM31564SA15SOI	IXYS	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
PDM31564SA15SOITY	IXYS	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
PDM31584SA10SO	ETC	获取价格	256 X 16 CMOS 3.3V STATIC RAM
PDM31584SA10SOA	ETC	获取价格	256 X 16 CMOS 3.3V STATIC RAM
PDM31584SA10SOATR	ETC	获取价格	256 X 16 CMOS 3.3V STATIC RAM
PDM31584SA10SOATY	ETC	获取价格	256 X 16 CMOS 3.3V STATIC RAM
PDM31584SA10SOI	ETC	获取价格	256 X 16 CMOS 3.3V STATIC RAM

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