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PDM31532LA15SOA

更新时间： 2024-11-21 05:27:15

品牌	Logo	应用领域
IXYS		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	236K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44

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PDM31532LA15SOA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.14
最长访问时间：	15 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J44	长度：	28.56 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	105 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ44,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.76 mm
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm

PDM31532LA15SOA 数据手册

PDM31532

64K x 16 CMOS

3.3V Static RAM

Features

Description

■ High-speed access times

- Com’l: 9, 10, 12, 15 and 20 ns

- Ind: 12, 15 and 20 ns

■ Low power operation (typical)

- PDM31532LA

The PDM31532 is a high-performance CMOS static

RAM organized as 65,536 x 16 bits. The PDM31532

features low power dissipation using chip enable

(CE) and has an output enable input (OE) for fast

memory access. Byte access is supported by upper

and lower byte controls.

Active: 200 mW

Standby: 10 mW

- PDM31532SA

Active: 250 mW

The PDM31532 operates from a single 3.3V power

supply and all inputs and outputs are fully TTL-

compatible.

Standby: 20 mW

The PDM31532 is available in a 44-pin 400 mil plas-

tic SOJ and a plastic TSOP (II) package for high-

density surface assembly and is suitable for use in

high-speed applications requiring high-speed

storage.

■ High-density 64K x 16 architecture

■ 3.3V (±0.3V) power supply

■ Fully static operation

■ TTL-compatible inputs and outputs

■ Output buffer controls: OE

■ Data byte controls: LB, UB

■ Packages:

Plastic SOJ (400 mil) - SO

Plastic TSOP - T (II)

Functional Block Diagram

Vcc

Vss

Memory

A8-A0

Cell

Array

256 x 128 x 32

32K x 32

Data

Input/

Output

Buffer

I/O15-I/O0

Sense Amp

Column

Decoder

Control

Logic

Column

Address

Buffer

Clock

Generator

A15-A9

Rev. 4.3 - 3/27/98

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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