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PDM31024LL85ST

更新时间: 2024-01-20 16:14:14
品牌 Logo 应用领域
IXYS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 221K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32

PDM31024LL85ST 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:85 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP32,.56,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.000006 A
最小待机电流:1.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.03 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

PDM31024LL85ST 数据手册

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PRELIMINARY  
PDM31024LL  
+3.3V  
+3.3V  
319  
319  
DATAOUT  
353Ω  
DATAOUT  
353Ω  
5 pF  
100 pF  
Figure 2. Output Load Equivalent  
Figure 1. Output Load Equivalent  
(for t  
, t  
, t  
, t  
, t  
,
LZCE HZCE LZWE HZWE LZOE  
t
)
HZOE  
Low V Data Retention Waveform  
CC  
Data Retention Mode  
V
3.3V  
3.3V  
CC  
V
DR  
t
t
CDR  
RC  
V
V
DR  
IH  
CE1 VIL  
DON'T CARE  
V
IH  
0.2V  
CE2 VIL  
Rev. 0.0 - 4/03/98  
5

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