Datasheet > PDM31034SA20TSOATR

PDM31034SA20TSOATR

更新时间： 2024-02-29 18:17:21

品牌	Logo	应用领域
IXYS		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	232K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PDM31034SA20TSOATR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SOJ, SOJ32,.34
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	20 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J32
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	105 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ32,.34
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.01 A
最小待机电流：	3 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.11 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

PDM31034SA20TSOATR 数据手册

浏览型号PDM31034SA20TSOATR的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号PDM31034SA20TSOATR的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号PDM31034SA20TSOATR的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号PDM31034SA20TSOATR的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号PDM31034SA20TSOATR的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号PDM31034SA20TSOATR的Datasheet PDF文件第7页

PRELIMINARY

PDM31034

1 Megabit 3.3V Static RAM

128K x 8-Bit

Revolutionary Pinout

Description

Features

The PDM31034 is a high-performance CMOS static

RAM organized as 131,072 x 8 bits. Writing is

accomplished when the write enable (WE) and the

chip enable (CE) inputs are both LOW. Reading is

accomplished when WE remains HIGH and CE and

OE are both LOW.

■ High-speed access times

Com’l: 9, 10, 12, 15 and 20 ns

Ind’l.: 12, 15 and 20 ns

Automotive: 15 and 20 ns

■ Low power operation (typical)

- PDM31034SA

The PDM31034 operates from a single +3.3V power

supply and all the inputs and outputs are fully TTL-

compatible.

Active: 200 mW

Standby: 15 mW

■ Single +3.3V (±0.3V) power supply

■ TTL-compatible inputs and outputs

■ Packages

The PDM31034 is available in a 32-pin 400 mil plas-

tic SOJ and 300 mil plastic SOJ, and a 32-pin plastic

TSOP (II) package in revolutionary pinout.

Plastic SOJ (400 mil) - SO

Plastic SOJ (300 mil) - TSO

Plastic TSOP (II) - T

Functional Block Diagram

Memory

Array

512 x 256 x 8

Row

Address

Buffer

Row

Decoder

Addresses

(1,048,576)

I/O0

I/O7

Input

Data

Control

Column I/O

Column Decoder

Column Address

Buffer

A16

Control

Rev. 1.3

12 3 4 5 6 7 8

下载PDF

与PDM31034SA20TSOATR相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
PDM31034SA20TSOATY	IXYS	Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32	获取价格
PDM31034SA9TSOTY	IXYS	Standard SRAM, 128KX8, 9ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32	获取价格
PDM31096	ETC	4 Megabit 3.3V Static RAM 512K x 8-Bit	获取价格
PDM31096SA10SO	ETC	4 Megabit 3.3V Static RAM 512K x 8-Bit	获取价格
PDM31096SA10SOA	ETC	4 Megabit 3.3V Static RAM 512K x 8-Bit	获取价格
PDM31096SA10SOATR	ETC	4 Megabit 3.3V Static RAM 512K x 8-Bit	获取价格