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PD57018

更新时间： 2024-09-27 22:40:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体射频场效应晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 50K
描述
RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY

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PD57018 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.1Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.5 A最大漏极电流 (ID)：2.5 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：165 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：31.7 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PD57018 数据手册

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PD57018  
PD57018S  
RF POWER TRANSISTORS  
LdmoST  
The  
Plastic FAMILY  
TARGET DATA  
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL  
MOSFETs  
• EXCELLENT THERMAL STABILITY  
• COMMON SOURCE CONFIGURATION  
• POUT = 18 W with 14 dB gain @ 960 MHz / 28V  
• NEW RF PLASTIC PACKAGE  
PowerSO-10RF  
(Formed Lead)  
DESCRIPTION  
ORDER CODE  
PD57018  
BRANDING  
XPD57018  
The PD57018 is a common source N-Channel, en-  
hancement-mode, lateral Field-Effect RF power  
transistor. It is designed for high gain, broad band  
commercial and industrial applications. It operates  
at 28V in common source mode at frequencies of  
up to 1GHz. PD57018 boasts the excellent gain,  
linearity and reliability of ST’s latest LDMOS tech-  
nology mounted in the first true SMD plastic RF  
power package, PowerSO-10RF. PD57018’s su-  
perior linearity performance makes it an ideal so-  
lution for base station applications.  
PowerSO-10RF  
(Straight Lead)  
The PowerSO-10 plastic package, designed to of-  
fer high reliability, is the first ST JEDEC approved,  
high power SMD package. It has been specially  
optimized for RF needs and offers excellent RF  
performances and ease of assembly.  
ORDER CODE  
PD57018S  
BRANDING  
XPD57018S  
= 25 0C)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T  
CASE  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
65  
±20  
V
V
(BR)DSS  
V
Gate-Source Voltage  
Drain Current  
GS  
I
2.5  
A
D
P
31.7  
W
0C  
0C  
DISS  
Power Dissipation (@ Tc = 70 0C)  
T
Max. Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
165  
j
T
-65 to 175  
STG  
THERMAL DATA(T  
= 70 0C)  
CASE  
0
R
Junction-Case Thermal Resistance  
3.0  
th(j-c)  
C/W  
Jun 2000  
1/4  
1234

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PD57018 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PD57018TR-E STMICROELECTRONICS

完全替代

 RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs
PD57018STR-E STMICROELECTRONICS

完全替代

 RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

与PD57018相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PD57018-E STMICROELECTRONICS

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 		RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs
PD57018-E_10 STMICROELECTRONICS

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 		RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
PD57018S STMICROELECTRONICS

获取价格

 		RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
PD57018S-E STMICROELECTRONICS

获取价格

 		RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs
PD57018STR-E STMICROELECTRONICS

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