PD57070S

更新时间： 2024-02-17 07:52:19

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体射频场效应晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
13页	299K
描述
RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PD57070S 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWERSO-10RF, 2 PIN	针数：	10
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A
最大漏极电流 (ID)：	7 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	165 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	95 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PD57070S 数据手册

PD57070

PD57070S

RF POWER TRANSISTORS

The LdmoST Plastic FAMILY

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL

MOSFETs

• EXCELLENT THERMAL STABILITY

• COMMON SOURCE CONFIGURATION

• P

= 70 W with 14.7 dB gain @ 945 MHz / 28V

OUT

• NEW RF PLASTIC PACKAGE

PowerSO-10RF

(formed lead)

ORDER CODE

BRANDING

PD57070

DESCRIPTION

PD57070

The PD57070 is a common source N-Channel,

enhancement-mode lateral Field-Effect RF power

transistor. It is designed for high gain, broad band

commercial and industrial applications. It operates

at 28 V in common source mode at frequencies of

up to 1 GHz. PD57070 boasts the excellent gain,

linearity and reliability of ST’s latest LDMOS

technology mounted in the first true SMD plastic RF

power package, PowerSO-10RF. PD57070’s

superior linearity performance makes it an ideal

solution for base station applications.

PowerSO-10RF

(straight lead)

The PowerSO-10 plastic package, designed to

offer high reliability, is the first ST JEDEC

approved, high power SMD package. It has been

specially optimized for RF needs and offers

excellent RF performances and ease of assembly.

ORDER CODE

PD57070S

BRANDING

PD57070S

Mounting recommendations are available in

www.st.com/rf/ (look for application note AN1294)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25 ^°C)

CASE

Symbol

Parameter

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

(BR)DSS

± 20

Power Dissipation (@ Tc = 70°C)

Max. Operating Junction Temperature

Storage Temperature

°C

DISS

165

STG

-65 to +150

THERMAL DATA (T

=70 ^°C)

CASE

th(j-c)

Junction -Case Thermal Resistance

1.0

°C/W

March, 21 2003

1/13

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

PD57070S 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PD57070S-E	STMICROELECTRONICS	类似代替	RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
PD57070-E	STMICROELECTRONICS	类似代替	RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs

与PD57070S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PD57070S-E	STMICROELECTRONICS	获取价格	RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
PD57070STR-E	STMICROELECTRONICS	获取价格	RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
PD57070TR-E	STMICROELECTRONICS	获取价格	RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
PD57-1-1160	TRINAMIC	获取价格	Stepper Motor with Controller
PD57-1-1161	TRINAMIC	获取价格	Stepper Motor with Controller
PD57-2-1160	TRINAMIC	获取价格	Stepper Motor with Controller
PD57-2-1161	TRINAMIC	获取价格	Stepper Motor with Controller
PD578B-BT1	ETC	获取价格	5mm Silicon PIN Photodiode
PD58	ETC	获取价格	Analog IC
PD59	ETC	获取价格	Analog IC

与PD57070S相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

10
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

10
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

12
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

15

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PD57070S

PD57070S 技术参数

PD57070S 数据手册

PD57070S 替代型号

与PD57070S相关器件

与PD57070S相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PD57070S

PD57070S 技术参数

PD57070S 数据手册

PD57070S 替代型号

与PD57070S相关器件

与PD57070S相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？