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PD20015S-E

更新时间： 2024-02-12 15:46:40

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体射频场效应晶体管光电二极管放大器局域网
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16页	349K
描述
RF power transistor, LdmoST family

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PD20015S-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWERSO-10RF, 2 PIN	针数：	10
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A	最大漏极电流 (ID)：	7 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDFM-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	165 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	79 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PD20015S-E 数据手册

PD20015-E

PD20015S-E

RF power transistor, LdmoST family

Features

■ Excellent thermal stability

■ Common source configuration

■ P

= 15 W with 11 dB gain @ 2 GHz / 13.6 V

OUT

■ Plastic package

■ ESD protection

PowerSO-10RF

(formed lead)

■ In compliance with the 2002/95/EC european

directive

Description

The PD20015-E is a common source N-channel,

enhancement-mode lateral field-effect RF power

transistor. It is designed for high gain, broadband

commercial and industrial applications. It

operates at 13.6 V in common source mode at

frequencies of up to 1 GHz. PD20015-E boasts

the excellent gain, linearity and reliability of ST’s

latest LDMOS technology mounted in the first true

SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF.

PD20015-E’s superior linearity performance

makes it an ideal solution for mobile radio

applications.

PowerSO-10RF

(straight lead)

Figure 1.

Pin connection

Source

The PowerSO-10 plastic package, designed to

offer high reliability, is the first ST JEDEC

Drain

Gate

approved, high power SMD package. It has been

specially optimized for RF needs and offers

excellent RF performances and ease of assembly.

Mounting recommendations are available in

www.st.com/ (look for application note AN1294)

Table 1.

Device summary

Order codes

Package

Packing

PD20015-E

PD20015S-E

PD20015TR-E

PD20015STR-E

PowerSO-10RF (formed lead)

PowerSO-10RF (straight lead)

PowerSO-10RF (formed lead)

PowerSO-10RF (straight lead)

Tube

Tape and reel

April 2009

Doc ID 14005 Rev 2

1/16

www.st.com

12 3 4 5 6 7...16

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PD20015S-E 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PD20015C	STMICROELECTRONICS	功能相似	RF power transistor, LdmoST family
PD20015-E	STMICROELECTRONICS	功能相似	RF power transistor, LdmoST family

与PD20015S-E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PD20015STR-E	STMICROELECTRONICS	获取价格	RF power transistor, LdmoST family
PD20015TR-E	STMICROELECTRONICS	获取价格	RF power transistor, LdmoST family
PD20016	NIEC	获取价格	200A Avg 1200 1600 Volts
PD20016	KYOCERA AVX	获取价格	本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品，并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电，在
PD2008	NIEC	获取价格	200A Avg 800 Volts
PD2008	KYOCERA AVX	获取价格	本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品，并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电，在
PD-2009	PERICOM	获取价格	12-Contact, Thin Dual-in-line Flat No-Lead, TDFN
PD200FG120	SANREX	获取价格	THYRISTOR/DIODE (ISOLATED TYPE)
PD200FG160	SANREX	获取价格	THYRISTOR/DIODE (ISOLATED TYPE)
PD200FG40	SANREX	获取价格	THYRISTOR/DIODE (ISOLATED TYPE)

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