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PD200GB120

更新时间: 2024-01-30 11:12:02
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其他 - ETC 可控硅
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2页 119K
描述
THYRISTOR MODULE|SCR|DUAL|CC|400V V(RRM)|200A I(T)

PD200GB120 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.75
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS最大直流栅极触发电流:100 mA
最大直流栅极触发电压:3 V快速连接描述:G-GR-AK
螺丝端子的描述:A-K-AK最大维持电流:50 mA
最大漏电流:50 mA通态非重复峰值电流:5000 A
元件数量:2最大通态电压:1.5 V
最大通态电流:200000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C重复峰值反向电压:400 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

PD200GB120 数据手册

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