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PCHMB75B12

更新时间： 2024-11-16 10:16:39

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75A 1200V

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PCHMB75B12 数据手册

ＩＧＢＴＭｏｄｕｌｅ

－

７５Ａ，１２００Ｖ

ＰＣＨＭＢ７５Ｂ１２

Ｃｈｏｐｐｅｒ

□ 回路図：ＣＩＲＣＵＩＴ

□ 外形寸法図：ＯＵＴＬＩＮＥＤＲＡＷＩＮＧ

80 ^±0.25

12 11 12 11 12

2-Ø5.5

(C2E1)

(E2)

(C1)

3-M5

4-fasten tab

#110 t=0.5

5(E1)

4(G1)

LABEL

Dimension:［mm］

□ 最大定格：ＭＡＸＩＭＵＭＲＡＴＩＮＧＳ（Ｔ_Ｃ＝２５℃）

ＩｔｅｍＳｙｍｂｏｌ

ＲａｔｅｄＶａｌｕｅ

１，２００

Ｕｎｉｔ

Ｖ

コレクタ・エミッタ間電圧

Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage

Ｖ_ＣＥＳ

Ｖ_ＧＥＳ

ゲート・エミッタ間電圧

Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage

±２０

Ｖ

Ａ

Ｉ_Ｃ

ＤＣ

７５

コレクタ電流

Ｃollector Ｃurrent

Ｉ_ＣＰ

１ｍｓ

１５０

コレクタ損失

Ｃollector Ｐower Ｄissipation

Ｐ_Ｃ

４００

Ｗ

接

合

温

Ｊunction Ｔemperature Ｒange

度

Ｔ_ｊ

－４０～＋１５０

－４０～＋１２５

２,５００

℃

保

存

温

度

Ｔ_ｓｔｇ

Ｖ_ＩＳＯ

Ｆ_ｔｏｒ

℃

Ｓtorage Ｔemperature Ｒange

圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)

絶

縁

耐

Ｖ_{（ＲＭＳ）}

Ｉsolation Ｖoltage

Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink

Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal

締め付けトルク

Ｍounting Ｔorque

Ｎ・ｍ

(kgf･cm)

２（２０.４）

□ 電気的特性：ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（Ｔ_Ｃ＝２５℃）

Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ

コレクタ遮断電流

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｉ_ＣＥＳ

ＴｅｓｔＣｏｎｄｉｔｉｏｎ

Ｖ_ＣＥ= 1200V,Ｖ_ＧＥ= 0V

Ｍｉｎ.

－

Ｔｙｐ.

－

Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ

２.０

１.０

２.４

８.０

－

ｍＡ

μＡ

Ｖ

Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent

ゲート漏れ電流

Ｉ_ＧＥＳ

Ｖ_{ＣＥ（ｓａｔ）}

Ｖ_{ＧＥ（ｔｈ）}

Ｃ_ｉｅｓ

Ｖ_ＧＥ= ±20V,Ｖ_ＣＥ= 0V

Ｉ_Ｃ= 75A,Ｖ_ＧＥ= 15V

－

Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

１.９

－

Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage

ゲートしきい値電圧

Ｖ_ＣＥ= 5V,Ｉ_Ｃ= 75mA

４.０

－

Ｖ

Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage

入

力

容

量

Ｖ_ＣＥ= 10V,Ｖ_ＧＥ= 0V,ｆ= 1MH_Ｚ

6,300

ｐＦ

Ｉnput Ｃapacitance

ｔ_ｒ

ｔ_ｏｎ

ｔ_ｆ

上昇時間Ｒise

ターンオン時間Ｔurn-on Ｔime

下降時間Ｆall Ｔime

ターンオフ時間Ｔurn-off Ｔime

Ｔime

－

０.２５

０.４０

０.２５

０.８０

０.４５

０.７０

０.３５

１.１０

Ｖ_ＣＣ= 600V

Ｒ_L= 8Ω

スイッチング時間

Ｓwitching Ｔime

μｓ

Ｒ_G= 13Ω

Ｖ_ＧＥ= ±15V

ｔ_ｏｆｆ

□フリーホイーリングダイオードの特性：ＦＲＥＥＷＨＥＥＬＩＮＧＤＩＯＤＥＲＡＴＩＮＧＳ＆ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（Ｔ_Ｃ＝２５℃）

Ｉｔｅｍ

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｉ_Ｆ

Ｉ_ＦＭ

ＲａｔｅｄＶａｌｕｅ

Ｕｎｉｔ

Ａ

順

電

流

ＤＣ

７５

Ｆorward Ｃurrent

１ｍｓ

１５０

Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ

圧

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｖ_Ｆ

ＴｅｓｔＣｏｎｄｉｔｉｏｎ

Ｍｉｎ.

－

Ｔｙｐ.

１.９

Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ

順

電

Ｉ_Ｆ= 75A,Ｖ_ＧＥ= 0V

２.４

０.３

Ｖ

Ｐeak Ｆorward Ｖoltage

逆回復時間

Ｉ_Ｆ= 75A,Ｖ_ＧＥ= -10V

ｄi/ｄt= 150A/μs

ｔ_ｒｒ

－

０.２

μｓ

Ｒeverse Ｒecovery Ｔime

□ 熱的特性：ＴＨＥＲＭＡＬＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ

Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ

抗

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｒth(j-c)

ＴｅｓｔＣｏｎｄｉｔｉｏｎ

Junction to Case

Ｍｉｎ.

－

Ｔｙｐ.

－

Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ

熱

抵

ＩＧＢＴ

Ｄiode

０.３

℃／Ｗ

Ｔhermal Ｉmpedance

０.６

日本インター株式会社

12 3

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