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PCHMB75E6 PDF预览

PCHMB75E6

更新时间： 2024-11-16 05:59:51
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NIEC 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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4页 248K
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IGBT Module-Chopper

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PCHMB75E6 数据手册

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ＰＣＨＭＢ７５Ｅ６  
ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｃｈｏｐｐｅｒ  
□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ  
７５ Ａ，６００Ｖ  
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ  
94  
80 ±0.25  
12 11 12 11 12  
2-Ø5.5  
1
2
3
(C2E1)  
1
(E2)  
2
(C1)  
3
5
4
5(E1)  
4(G1)  
3-M5  
23  
7
23  
7
17  
4-fasten tab  
#110 t=0.5  
16  
16  
16  
LABEL  
Dimension:［mm］  
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃）  
Ｉｔｅｍ  
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＶＣＥＳ  
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ  
Ｕｎｉｔ  
Ｖ
コレクタ・エミッタ間電圧  
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage  
６００  
±２０  
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧  
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage  
ＶＧＥＳ  
Ｖ
Ａ
ＩＣ  
ＤＣ  
７５  
コ レ ク タ 電 流  
Ｃollector Ｃurrent  
ＩＣＰ  
１ｍｓ  
１５０  
コ レ ク タ 損 失  
Ｃollector Ｐower Ｄissipation  
ＰＣ  
３２０  
Ｗ
接
合
温
Ｊunction Ｔemperature Ｒange  
度
Ｔｊ  
－４０～＋１５０  
－４０～＋１２５  
２,５００  
℃
保
存
温
度
Ｔｓｔｇ  
ＶＩＳＯ  
Ｆｔｏｒ  
℃
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange  
圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)  
絶
縁
耐
Ｖ（ＲＭＳ）  
Ｉsolation Ｖoltage  
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink  
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal  
２
締 め 付 け ト ル ク  
Ｍounting Ｔorque  
Ｎ・ｍ  
(kgf･cm)  
２（２０.４）  
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃）  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  
コ レ ク タ 遮 断 電 流  
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＩＣＥＳ  
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
ＶＣＥ= 600V, ＶＧＥ= 0V  
Ｍｉｎ.  
－
Ｔｙｐ.  
－
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ  
ｍＡ  
μＡ  
Ｖ
1.０  
１.０  
２.６  
８.０  
－
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent  
ゲ ー ト 漏 れ 電 流  
ＩＧＥＳ  
ＶＣＥ（ｓａｔ）  
ＶＧＥ（ｔｈ）  
Ｃｉｅｓ  
ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V  
ＩＣ= 75A,ＶＧＥ= 15V  
－
－
－
２.１  
－
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent  
コレクタ・エミッタ間飽和電圧  
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage  
ゲ ー ト し き い 値 電 圧  
ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 75mA  
Ｖ
４.０  
－
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage  
入
力
容
量
ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ  
ｐＦ  
3,200  
Ｉnput Ｃapacitance  
ｔｒ  
ｔｏｎ  
ｔｆ  
ＶＣＣ= 300V  
ＲＬ= 4.0Ω  
ＲＧ= 12.0Ω  
ＶＧＥ= ±15V  
－
－
－
－
０.１５  
０.２５  
０.１０  
０.３５  
上 昇 時 間 Ｒise  
ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime  
下 降 時 間 Ｆall Ｔime  
ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime  
Ｔime  
０.３０  
０.４０  
０.３５  
０.７０  
スイッチング時間  
Ｓwitching Ｔime  
μｓ  
ｔｏｆｆ  
□フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃）  
Ｉｔｅｍ  
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＩＦ  
ＩＦＭ  
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ  
Ｕｎｉｔ  
Ａ
順
電
流
ＤＣ  
７５  
Ｆorward Ｃurrent  
１ｍｓ  
１５０  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  
圧
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＶＦ  
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
Ｍｉｎ.  
－
Ｔｙｐ.  
１.９  
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ  
順
電
ＩＦ= 75A,ＶＧＥ= 0V  
２.４  
Ｖ
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage  
逆 回 復 時 間  
ＩＦ= 75A,ＶＧＥ= -10V  
ｄi/ｄt= 150A/μs  
ｔｒｒ  
－
０.１５  
０.２５  
μｓ  
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime  
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  
抗
Ｓｙｍｂｏｌ  
Ｒth(j-c)  
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
Junction to Case  
Ｍｉｎ.  
－
－
Ｔｙｐ.  
－
－
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ  
熱
抵
ＩＧＢＴ  
Ｄiode  
０.３８  
℃／Ｗ  
Ｔhermal Ｉmpedance  
（Tc測定点チップ直下）  
０.８０  
00  
日本インター株式会社  
1234

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