是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TBGA, BGA64,8X8,40 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.8 | 最长访问时间: | 100 ns |
其他特性: | TOP BOOT | 启动块: | TOP |
命令用户界面: | YES | 通用闪存接口: | YES |
数据轮询: | NO | JESD-30 代码: | R-PBGA-B64 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 10 mm |
内存密度: | 536870912 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 4,511 | 端子数量: | 64 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32MX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TBGA |
封装等效代码: | BGA64,8X8,40 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 页面大小: | 16 words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 1.8,1.8/3.3 V | 编程电压: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 16K,64K | 最大待机电流: | 0.000225 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.031 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 切换位: | NO |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PC28F512P30TFA | MICRON |
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65nm; MLC; 28F512P30B/E/TF, 28F00AP30B/E/TF, 28F00BP30EF | |
PC28F512P30TFB | MICRON |
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65nm; MLC; 28F512P30B/E/TF, 28F00AP30B/E/TF, 28F00BP30EF | |
PC28F512P33BFD | MICRON |
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Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm) | |
PC28F512P33EFA | MICRON |
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Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm) | |
PC28F512P33TFA | MICRON |
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Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm) | |
PC28F640J3A-110 | INTEL |
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Intel StrataFlash Memory (J3) | |
PC28F640J3A-115 | INTEL |
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Intel StrataFlash Memory (J3) | |
PC28F640J3A-120 | INTEL |
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Intel StrataFlash Memory (J3) | |
PC28F640J3A-125 | INTEL |
获取价格 |
Intel StrataFlash Memory (J3) | |
PC28F640J3A-150 | INTEL |
获取价格 |
Intel StrataFlash Memory (J3) |